Главная » Новости » 2010 » 05 » 03 3 мая 2010

Samsung наращивает выпуск памяти DDR3 «40-нанометрового класса»

Южнокорейский полупроводниковый гигант объявил об увеличении объемов выпуска чипов памяти типа DDR3, изготавливаемых по технологии «40-нанометрового класса». Потребность в этом вызвана растущим спросом со стороны производителей серверных модулей памяти.

В свою очередь, спрос на модули памяти для серверов увеличился вслед за недавним выпуском процессоров Intel серии Xeon 5600 и Xeon 7500. Эти процессоры обеспечивают высокую производительность и малое энергопотребление серверов, работая в паре с памятью типа DDR3.

Используя память DDR3 производства Samsung Electronics, производители могут укомплектовывать системы на базе Xeon 5500 внушительным объемом памяти — 192 ГБ (16 ГБ x 12). При использовании процессоров Xeon 5600 и напряжении питания 1,35 В снижение энергопотребления составляет 73%, а пропускная способность — удваивается по сравнению с память типа DDR2. В случае платформы Xeon 7500 система с четырьмя процессорными гнездами может получить до 1 ТБ памяти.

Сейчас ассортимент продуктов DDR3 производства Samsung включает чипы плотностью 1, 2 и 4 Гбит, буферизованные модули DIMM объемом 1, 2, 4, 8, 16 и 32 ГБ и небуферизованные модули с поддержкой ECC объемом 1, 2, 4 и 8 ГБ. Изготавливаемые по технологии «40-нанометрового класса» чипы DDR3 поддерживают скорости передачи 800, 1066, 1333 и 1600 Мбит/с.

Источник: Samsung Electronics

Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



ОПРОС Micromax

С какой периодичностью вы меняете смартфоны?
май
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
2010

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.