Южнокорейская компания Hynix Semiconductor (Hynix), специализирующаяся на выпуске памяти, объявила о том, что ее продукция, изготавливаемая по нормам «40-нанометрового класса», прошла сертификацию Intel.
Список сертифицированных продуктов включает компоненты DDR3 SDRAM плотностью 2 Гбит, модули DDR3 SODIMM (Small Outline Dual In-line Memory Module) объемом 4 ГБ и DDR3 UDIMM (Un-buffered Dual In-line Memory Module) объемом 2 ГБ, работающие на частоте 1333 МГц при напряжении 1,5 В.
Максимальная частота, поддерживаемая перечисленными изделиями, равна 1867 МГц, что при 16-разрядной передаче соответствует пропускной способности 3,7 ГБ/с. По оценке Hynix, переход на компоненты DDR3 «40-нанометрового класса» позволил улучшить показатель производительности более чем на 60% по сравнению с предыдущим поколением, изготавливаемым по нормам «50-нанометрового класса». Другим достоинством новых продуктов является уменьшение энергопотребления на 40%.
Компания Hynix уже начала массовый выпуск чипов памяти DDR3 плотностью 2 Гбит по новым технологическим нормам.
Источник: Hynix