Главная » Новости » 2007 » 12 » 13 13 декабря 2007

Innovative Silicon говорит о «прорыве» в Z-RAM, позволившем радикально повысить плотность и снизить стоимость памяти

Компания Innovative Silicon, разработавшая технологию Z-RAM, назвала новое поколение своей памяти «технологическим прорывом».

В течение многих лет, компании по всему миру бьются над коммерциализацией концепции памяти с «плавающим телом», которая сулит возможность изготовления ячейки памяти на всего одном транзисторе, что обеспечило бы самую высокую плотность и быстродействие. Память Z-RAM, как и другие разработки в этом ряду, использует ячейки на одном транзисторе, изготавливаемом по технологии SOI (silicon-on-insulator). Суть прорыва заключается в том, что новая ячейка Z-RAM работает по принципу, фундаментально отличающемуся от принципа работы других типов памяти с «плавающим телом». Она включает не только MOS-транзистор, как обычно, но и внутренний биполярный транзистор, присутствующий во всех структурах SOI MOS.

В результате, как утверждается, новая ячейка превосходит обычные во всех отношениях: по скорости, энергопотреблению, времени хранения и простоте изготовления. Улучшены операции чтения и записи. Запись улучшена за счет увеличения количества сохраняемого заряда, а чтение – за счет повышенной чувствительности, являющейся результатом лучших характеристик усиления, свойственных биполярному транзистору.

Существенные улучшения всех основных параметров памяти позволяют компании говорить о Z-RAM, как первой «коммерчески значимой» памяти, ячейка которой построена на одном транзисторе.

Источник: Innovative Silicon

Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



ВИКТОРИНА PATRIOT

Какие продукты, помимо компьютерной памяти, представлены в линейке Patriot – Viper Gaming?
декабрь
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
2007

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.