Похоже, что Intel и Micron всерьез намерены усилить конкурентное давление на Samsung: недавно мы сообщали, как компании представили первые 50-нм микросхемы плотностью 4 Гбит, в ответ на 60-нм флэш-память Samsung, созданную немногим ранее, а вот теперь, как сообщает источник, компании начали поставки первых микросхем NAND флэш-памяти плотностью уже в 8 Гбит. Утверждается, что 8-Гбит чипы выпускаются по технологическому процессу с нормами менее 90 нм – вполне вероятно, что речь идет о 80-нм технологии, освоенной Samsung еще в прошлом году. Очевидно, что несмотря на некоторое технологическое отставание, совместное предприятие Intel и Micron, IM Flash, делает серьезную заявку на выход в тройку лидеров, а в перспективе, надо полагать, будет бороться с Hynix за второе место.
Момент для этого выбран довольно удачно: если не брать во внимание некоторое сезонное затишье, то можно утверждать о неуклонном росте спроса на флэш-память, в том числе большой плотности, требуемой в таких устройствах бытовой электроники, как портативные проигрыватели мультимедиа. И если дела у IM Flash пойдут в гору, то у Intel есть все шансы наконец-то начать получать прибыль от своего направления флэш-памяти.
Источники, близкие к IM Flash, затруднились уточнить, по какой архитектуре построены 8-Гбит микросхемы – одно- или много-уровневой ячейки (SLC или MLC). Однако, источник утверждает со ссылкой на неназванных сотрудников Intel, что массовое производство 8-Гбит MLC-чипов начнется не ранее 2007 года (во второй половине будут доступны пробные экземпляры). Так что, скорее всего, речь идет именно о SLC-чипах плотностью 8 Гбит.