Micron Technology и Intel Corporation объявили сегодня о том, что начали производство образцов 4-Гбит NAND флэш-памяти с соблюдением норм 50-нм техпроцесса. Пробное производство осуществляется на мощностях IM Flash Technologies (IMFT, - совместное производство Micron и Intel). В 2007 году по 50-нм нормам планируется начать выпуск микросхем памяти различной плотности.
Это своего рода вызов компании Samsung, которая занимает порядка 50% всего рынка NAND флэш-памяти и обычно первой анонсирует подобные разработки, такие как, например, 60-нм 8-Гбит, о выпуске которой было объявлено совсем недавно.
Память NAND флэш высокой плотности активно используется в различной пользовательской электронике (цифровые аудио и видеоплееры, съемные диски и накопители, коммуникационные устройства). Согласно рыночным исследованиям и прогнозам, рынок памяти NAND оценивается в 13-16 млрд. долл. в 2006 году и продолжает расти, обещая достичь к 2010 году показателей 25-30 млрд. долл.