Главная » Новости » 2005 » 06 » 21 21 июня 2005

Японские исследователи создали новый алмазный полупроводник

Японские исследователи из Института передовой промышленной науки и техники (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, AIST) изготовили полупроводник n-типа на алмазной подложке ориентации (001) при помощи процесса вакуумного напыления. Кроме того, им удалось достичь эмиссии ультрафиолетового излучения p-n переходом.

Это существенное достижение, поскольку впервые удалось снять ограничение на ориентацию подложки, которое ранее было узким местом в развитии электронных устройств из алмазных полупроводников. В то время как алмазный полупроводниковый материал p-типа синтезировался независимо от ориентации подложки, материал n-типа был ранее доступен только на (111)-ориентированных подложках.

В ходе работы, полупроводник n-типа синтезировался в процессе химического осаждения из газовой фазы (CVD) при помощи микроволновой плазмы. В качестве исходного газа был использован метан, легированный атомами фосфора.

Больше известный благодаря высокой прочности и стоимости, алмаз привлекает разработчиков электронной техники в силу других своих выдающихся показателей: высокой тепловой проводимости, высокого напряжения пробоя и очень высокой подвижности носителей. Эти достоинства очень пригодились бы в электронных устройствах, особенно — в области больших мощностей и светоизлучающих приборов с короткой длиной волны излучения.

На снимке — светоизлучающий диод, выполненный с использованием материала n-типа на подложке ориентации (001).

Источник: AIST

Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



июнь
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
2005

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.