Японские исследователи из Института передовой промышленной науки и техники (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, AIST) изготовили полупроводник n-типа на алмазной подложке ориентации (001) при помощи процесса вакуумного напыления. Кроме того, им удалось достичь эмиссии ультрафиолетового излучения p-n переходом.
Это существенное достижение, поскольку впервые удалось снять ограничение на ориентацию подложки, которое ранее было узким местом в развитии электронных устройств из алмазных полупроводников. В то время как алмазный полупроводниковый материал p-типа синтезировался независимо от ориентации подложки, материал n-типа был ранее доступен только на (111)-ориентированных подложках.
В ходе работы, полупроводник n-типа синтезировался в процессе химического осаждения из газовой фазы (CVD) при помощи микроволновой плазмы. В качестве исходного газа был использован метан, легированный атомами фосфора.
Больше известный благодаря высокой прочности и стоимости, алмаз привлекает разработчиков электронной техники в силу других своих выдающихся показателей: высокой тепловой проводимости, высокого напряжения пробоя и очень высокой подвижности носителей. Эти достоинства очень пригодились бы в электронных устройствах, особенно — в области больших мощностей и светоизлучающих приборов с короткой длиной волны излучения.
На снимке — светоизлучающий диод, выполненный с использованием материала n-типа на подложке ориентации (001).
Источник: AIST