Главная » Новости » 2005 » 01 » 13 13 января 2005

Elpida демонстрирует микросхемы DRAM с уменьшенным током саморегенерации

Японская компания Elpida сообщила о начале поставок образцов 256 Мбит компонентов DDR SDRAM, выполненных с использованием проприетарной технологии Super Self Refresh (SSR), позволяющей достичь 95% снижения тока саморегенерации (IDD6) – в целях увеличения времени жизни аккумулятора портативных бытовых электронных устройств. SSR позволяет увеличить внутренний интервал обновления за счет работы с цепью Error Correction Circuit (ECC). Используя встроенный в микросхемы термодатчик, ATCSR, SSR автоматически регулирует период саморегенерации при разных температурах. Микросхемы, выполненные по технологии SSR, потребляют в при саморегенерации 40 мкА при температуре 25°C, 150 мкА – при 70°С, 250 мкА при 85° С, что примерно составляет 1/20 тока, потребляемого при саморегенерации микросхемами без SSR.

256 Мбит компоненты Elpida с SSR представлены моделями EDD2516KCTA-5C, EDD2516KCTA-6B, EDD2516KCTA-7A, имеют организацию 4M words x 16 bits x 4 bank. Решения соответствуют требованиям JEDEC (пропускная способность – до 400 Мбит/с, напряжение питания – 2,5 В, CAS Latency (CL) 2/ 2,5/ 3, длина пакета (Burst Length (BL)) 2, 4, 8. Микросхемы выполнены с использованием норм 0,11-мкм техпроцесса, предлагаются в 66-контактных пластиковых TSOP-корпусах. Начало серийного производства 256 и 512 Мбит компонентов с SSR планируется на март текущего года.

15:49 13.01.2005
Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



январь
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
2005

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.