SEC и Toshiba на VLSI

ПредыдущаяСледующая
1174

Почти под закрытие VLSI Сеть буквально наводнена краткими (и с этой точки не имеющими огромной ценности) пресс-релизами компаний, занятых в полупроводниковой индустрии, о том, насколько далеко они продвинулись в своих разработках. Так, на текущий момент "отметились" Renesas и Micron – со своими новыми ячейками памяти

Среди прочих анонсов стоит упомянуть сообщение Samsung о разработке корпусировки 512 Мбит микросхем DDR2 SDRAM в момент, когда кристалл еще находится на кремниевой пластине.

В терминах компании технология называется Wafer Level Packaging (WLP) и, как отмечается в пресс-релизе компании, позволяет уменьшить физические размеры микросхемы и улучшить ее электрические характеристики.

При корпусировке микросхем используются два межслойных диэлектрика (inter-layer dielectric, ILD) с решетчатой структурой и металлический слой, заменяющий собой обычную подложку. Стоит упомянуть, что сетка контактов имеет вид CSP-упаковки в масштабе реального размера кристалла.

Согласно заявлению представителей Samsung, технология WLP позволит помимо всего прочего ускорить процесс производства за счет сокращения времени на дополнительную корпусировку. Технология упаковки, предложенная корейским производителем, соответствует требованиям JEDEC к DDR2 CSP.

И еще один пресс-релиз, на сей раз – от Toshiba. На VLSI компания представила MOSFET-транзистор и новую технологию соединений для решений с многослойной архитектурой. Обе разработки будут использоваться при разработке БИС, выполненных с использованием норм 45-нм техпроцесса, в частности, систем-на-чипе, предназначенных для бытовой электроники.

Не описывая подробностей, пресс-релиз компании содержит два основных момента, кратко описывающих достижения японского производителя.

Новые MOSFET-транзисторы выполнены с использованием сверхтонкой пленки диэлектрика, изолирующих затвор – ее толщина менее 1 мм. Использование новой пленки позволяет в 1,5 раза снизить ток утечки (по сравнению с используемой в настоящее время SiON пленки. Ток возбуждения у нового MOSFET – 820 мкА/мкм – в случае NMOSET и 820 мкА/мкм в случае варианта PMOSFET при напряжении 0,85 В.

Что касается межсоединений, то компания "сумела найти оптимальные параметры – для обеспечения высокой тактовой частоты работы при минимальном энергопотреблении БИС, выполненных с использованием норм 45-нм техпроцесса. Новая технология позволяет довести шаг [дорожек] первого металлического слоя до 130 нм, что на 75% меньше, чем у 65-нм технологии.

17 июня 2004 Г.

15:08

Ctrl
ПредыдущаяСледующая

Все новости за сегодня

Простой патч для одной из современных игр позволил повысить производительность Radeon RX Vega 64 на 22%: Radeon RX Vega 64 после патча для Wolfenstein II: The New Colossus обгоняет GTX 1080 Ti1

Tesla выпустила свой портативный аккумулятор для смартфонов: Tesla Powerbank стоит 45 долларов2

E Ink отметила рост всех основных финансовых показателей: E Ink показала отличные финансовые результаты

Vinci 2.0 — наушники с искусственным интеллектом для занятий физкультурой: На выпуск Vinci 2.0 уже собрано более 260 000 долларов8

Компания Broadcom завершила покупку компании Brocade Communications Systems: Новый владелец планирует разделить Brocade

Начало продаж Apple HomePod отложено: Умная АС Apple появится на рынке в 2018 году49

Анонсирован выпуск карты для работы с видео Blackmagic DeckLink 8K Pro: Карта Blackmagic DeckLink 8K Pro предназначена для захвата и вывода видео в разрешении до 8K DCI5

Samsung SM-W2018 может стать первым смартфоном с камерой, объектив которой имеет диафрагму F/1,5: Смартфон будет представлен в Китае 1 декабря этого года15

Представлена клавиатура Zagg Slim Book для iPad Pro с подсветкой клавиш и местом для Apple Pencil: Цена устройства составляет 120 долларов2

OnePlus 5T получит обновление Android 8.O Oreo в начале 2018 года: Разработчики решили изначально оснастить его Android 7.1.1 Nougat5

В понедельник Toshiba примет решение о привлечении зарубежных инвестиций в размере 5 млрд долларов: Эти средства должны помочь Toshiba удержаться на бирже1

По прогнозу DSCC, рынок материалов OLED в ближайшие годы будет расти на 20% в год: К 2022 году он достигнет 2,25 млрд долларов

Опубликован эскиз безрамочного смартфона 360 Mobiles: Компания будет придерживаться устоявшейся традиции, предлагая пользователям смартфоны с впечатляющими характеристиками по привлекательным ценам1

997
1318

iXBT TV

  • Обзор аккумуляторной дрели-шуруповерта Bosch GSR 12V-15 FC Professional

  • Заводские экзоскелеты, обновление Firefox, слишком умные наушники

  • Репортаж с конференции Supercomputing 2017 (SC17), день 3: стенд группы компаний РСК

  • Репортаж с конференции Supercomputing 2017 (SC17), день 2: стенд Intel

  • Репортаж с конференции Supercomputing 2017 (SC17), день 1: рейтинг Top500

  • Обзор кинотеатрального DLP-проектора LG PF1000U со встроенным ТВ-тюнером

  • Камера Panasonic G9, унитазный робот, игровой смартфон, кепка для водителей

  • Обзор портативной беспроводной колонки Sven PS-460

  • Обзор напольного пылесоса Tefal Silence Force 4A TW6477 с одноразовыми мешками для сбора мусора

  • Обзор сверхширокоугольного зум-объектива Canon EF 16-35mm f/2.8L III USM

  • Обзор изогнутого 34-дюймового IPS-монитора LG 34UC99 с соотношением сторон 21:9 и белым корпусом

  • Обзор робота-пылесоса Philips SmartPro Active (FC8822/01) с широкой насадкой TriActive XL

1212

Календарь

июнь
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30

Рекомендуем почитать