На симпозиуме, посвященном интегральным схемам с высокой степенью интеграции (2004 VLSI Technology Symposium) компания Micron представила свой новый дизайн ячеек памяти DRAM, в котором 6F-ячейка (F в названии означает минимально достижимый размер элемента), представленная в прошлом году, объединена с конденсатором, устанавливаемым в современные ячейки памяти с целью снижения ошибок (это делается для увеличения емкости ячейки – если емкость маленькая, то в результате случайного изменения заряда, к примеру, в результате действия ионизирующего излучения, колебание напряжения может быть достаточным для самопроизвольного изменения состояния).
Такая ячейка, как утверждает Micron, на 25% меньше 8F-ячеек, традиционно используемых производителями памяти. При использовании 78-нм норм технологического процесса размер ячейки DRAM Micron составляет около 0,36 кв. мкм. По словам Micron, новая архитектура ячеек памяти будет использована для массового производства чипов с емкостью 1 Гбит и более, интерфейс — DDR2 и DDR3.
Что касается конденсатора в ячейке DRAM, то он выполнен по технологии металл-диэлектрик-металл (MIM, metal-insulator-metal) и в нем применяется смесь оксида гафния и оксида алюминия, а не оксид гафния, как это обычно делается производителями DRAM. По данным Micron, оксид алюминия обеспечивает низкий ток утечки (на 50% меньше, чем если бы в качестве изолирующего слоя использовался только оксид гафния), а оксид гафния – высокую диэлектрическую проницаемость. Емкость такого микроконденсатора составляет 25 фемтоФарад.