Nikon официально объявила о том, что начиная с этого года начнет полномасштабную разработку EUV-литографической системы, поставки которой должны будут начаться в 2006 году. Что ж, если судить по количеству публикаций, то 2003 год можно было бы назвать годом иммерсионной литографии, в то время как начавшийся 2004, возможно, станет годом EUVL.
Как сообщает компания в своем релизе, Nikon не видит существенных препятствий к разработке такой системы и коммерческом внедрении ее в массовое производство микропроцессоров и DRAM по 45-нм и 32-нм нормам. Это также означает, что литография с применением 157-нм источников света так и не придет повсеместно на смену 193-нм литографическим инструментам, а скептическое отношение к EUVL (в частности, Intel, не ожидающая ее внедрения до 2009) может в корне измениться, особенно если предположить, что последние европейские амбициозные проекты (NanoCMOS & MoreMoore, см. ниже) также планируют достичь 45-нм норм к 2005-2007 годам.
По крайней мере, в последнем роадмэпе Nikon (увидевшем свет 1 декабря 2003 года) место 157-нм инструментов занимают 193-нм сканеры с ArF (фторид аргона) оптикой.
Уже во второй половине этого года ожидаются поставки иммерсионного 193-нм ArF сканера NSR-S307E (на фото), а в дальнейшем на смену 193-нм инструментам придут EUV-сканеры с длиной волны источника 13,5 нм.
Ссылки по теме: