Исследователи из Университета штата Иллинойс сообщают о разработке принципиально нового полупроводникового устройства – светоизлучающего транзистора. Группа исследователей во главе с Ником Холоньяком-младшим (Nick Holonyak Jr.) и Милтоном Фенгом (Milton Feng) разработали, создали и изучили свойства излучающего свет биполярного транзистора, который можно будет использовать в устройствах для обработки сигналов. Ученые полагают, что в перспективе на основе подобных устройств возможно создание интегральных микросхем, где в качестве среды для передачи информации будут использоваться не электрические импульсы, распространяющиеся по проводникам, а кванты света – фотоны.
Светоизлучающий транзистор был изготовлен из фосфида индия и галлия (indium gallium phosphide) и арсенида галлия (gallium arsenide). Свет излучается при рекомбинации электронов и дыр в базовом слое биполярного транзистора, а его интенсивность зависит от тока базы и легко поддается управлению и модуляции. Эффект рекомбинации электронов и дыр известен с самих первых дней существования полупроводниковых технологий, однако поскольку ранее фотоны излучались лишь в инфракрасном диапазоне, этот эффект считался паразитным, и использовать его пока никому не удавалось.
Ученые также сообщают о том, что полученные светоизлучающие транзисторы позволяют получать модулированный свет с фазой, совпадающей с фазой электрического сигнала, на частотах до 1 МГц. Предстоит еще ответить на вопрос, насколько хорошо будут работать светоизлучающие транзисторы на более высоких частотах, а также, возможно, будут придуманы новые способы их применения (например, гибридные фотон-электронные устройства).