По следам IEDM: high-k будут запущены в коммерческое использование к 2007

1174

Пока AMD рассказывала о своих успехах в применении диэлектрических пленок с небольшой диэлектрической проницаемостью (low-k), на прошедшем на прошлой неделе форуме IEDM (International Electron Devices Meeting) обсуждались также перспективы использования пленок с высокой диэлектрической проницаемостью (high-k). Наблюдавшийся в прошлом году пессимизм, похоже, сменился уверенностью в том, что технологии с использованием high-k оксидов будут разработаны и освоены к 2007 году (к началу внедрения 45-нм норм).

По мнению некоторых участников конференции, рост интереса к high-k пленкам начался после того, как в начале ноября Intel сообщила о выборе типов диэлектрической пленки и металлов для изготовления транзисторных контактов, которые могут быть использованы на 45-нм нормах.

Основной проблемой с использованием high-k пленок считаются возможное снижение подвижности носителей заряда и смещение порогового напряжения, что в сумме может привести к увеличению тока утечки. На один из возможных механизмов снижения подвижности носителей заряда, вызванное генерацией «мягких» фононов, связанных с электронами в канале проводимости, указал в прошлом году Макс Фишетти (Max Fischetti) из IBM T.J. Watson Research Center, предсказав также значительное снижение тока утечки. Этот механизм был подтвержден исследовательской командой Intel, которой удалось снизить обнаруженное IBM рассеяние фононов использованием затвора, состоящего из слоя нитрида титана поверх оксида гафния. Частично бороться с снижением подвижности носителей заряда также помогают технологии «напряженного кремния» (strained silicon), и в экспериментах Intel удалось повысить подвижность в слое напряженного кремния, расположенном между толстым сжимающим слоем и буферным слоем полупроводника, содержащим 10% атомов германия.

Что касается самих high-k пленок, то, к примеру, Texas Instruments работает с силикатами гафния уже более года и, по словам исследователей компании, смогла добиться подвижности, соответствующей 85% от подвижности двуокиси кремния (SiO2), но гораздо менее значительного тока утечки. Смещение порогового напряжения составило около 10 мВ.

Texas Instruments, как и большинство, предлагает использовать процесс химического замещения в парах (CVD, chemical vapor deposition), с предпочтением PMOS в качестве материала для изготовления транзисторных контактов. Toshiba же сообщила, что способна продолжать использовать напыление вплоть до 45-нм норм благодаря разработкам «мягких» технологий напыления металлов.

И Toshiba, и Texas Instruments используют в качестве диэлектриков пленки на основе силикатов, чей коэффициент диэлектрической проницаемости (k) считается не слишком высоким (mid-k). Однако ученые из Межуниверситетского Науйно-Исследовательского Центра (Interuniversity Microelectronics Center) IMEC считают, что к тому времени, как толщина слоя оксида достигнет 7-8 ангстрем (0,7-0,8 нм), потребуется еще большее значение k и, возможно, переход на оксиды гафния. Все сходятся во мнении, что возможности дальнейшего применения SiO2 уже исчерпаны.

17 декабря 2003 Г.

10:28

Ctrl
ПредыдущаяСледующая

Все новости за сегодня

Samsung откроет шоурум в футуристическом торговом центре Лондона: Samsung займёт верхний этаж ТЦ Coal Drops Yard своим демонстрационным центром26

Qualcomm и Mercedes-AMG Petronas Motorsport расширили стратегическое сотрудничество: Они будут вместе разрабатывать высокоскоростную связь и беспроводное питание для гоночных машин2

Razer оценила web-камеру Kiyo и микрофон Seiren X в 100 долларов за каждую новинку: Razer представила web-камеру Kiyo и микрофон Seiren 3

FAA предлагает запретить провоз камер и других электронных устройств в багаже: Международная организация гражданской авиации (ICAO) планирует обсудить предложение FAA в ближайшее время28

Смартфон Huawei Mate 10 Pro в рейтинге DxOMark обошёл Samsung Galaxy Note 8 и Apple iPhone 8 Plus: Смартфон Huawei Mate 10 Pro в рейтинге DxOMark заработал 97 баллов55

Amazon и eBay обвинили в попустительстве мошенничеству с НДС: По оценке налогового департамента, только в прошлом и позапрошлом году недополучено 1-1,5 млрд фунтов стерлингов13

Еще одна версия Xiaomi Mi Notebook Air 13 по характеристикам оказалась хуже предыдущей : 47

Камера Detu F4 Plus снимает сферические панорамы с разрешением 8К: Камера F4 Plus позиционируется как профессиональное решение и стоит $25994

Смартфон HTC U11 Plus получит степень защиты IP68, Edge Sense и Boom Sound, но не будет представлен 2 ноября : ЖК-дисплей устройства будет иметь диагональ 6 дюймов при разрешении WQHD+ и плотности пикселей 538dpi10

Samsung Artik s — защищенные беспроводные вычислительные модули для IoT: Платформа Samsung Artik IoT будет полностью интегрирована с платформой SmartThings Cloud

Уже выпущенные телевизоры LG получат поддержку звука в формате Dolby TrueHD: Прошивка будет выпущена до конца месяца10

Опубликованы новые изображения смартфона Meizu X2, который оснащен дополнительным круглым дисплеем: Meizu X2 должен выйти в линейке Blue Charm и относиться к среднему ценовому сегменту11

Платформа для оперативной доставки и распределения финансовой информации nxFeed FPB2 построена на FPGA Xilinx Virtex UltraScale+: Платформа nxFeed FPB2 превосходит решения предыдущего поколения по производительности на 30%

Dodocool предлагает кабель для зарядки iPhone и iPad в форме брелока для ключей: 9

В базе TENAA замечен загадочный смартфон HTC с дактилоскопическим датчиком на задней панели: Основой HTC 2Q4D200 служит SoC с восьмиядерным процессором

В семействе АС Google Home появится модель Quartz с экраном: Напомним, дисплеями оснащены такие умные АС, как Amazon Echo и Echo Spot1

Умная акустическая система 808 Audio XL-V обеспечивает доступ к голосовому помощнику Amazon Alexa : Умная акустическая система 808 Audio XL-V стоит $130

По статистике Chrome, доля защищенного трафика на платформе Android за год выросла с 42% до 64%: Переход на HTTPS продолжается4

Опубликованы изображения 3D-карт Asus GeForce GTX 1070 Ti Turbo и ROG Strix GTX 1070 Ti Gaming: Сведений о частотах компонентов 3D-карт Asus GeForce GTX 1070 Ti Turbo и ROG Strix GTX 1070 Ti Gaming пока нет

997
1318

iXBT TV

  • Обзор беззеркальной фотокамеры Fujifilm X-A3 формата APS-C со сменными объективами

  • Обзор беззеркальной фотокамеры Fujifilm X-A10 формата APS-C со сменными объективами

  • Планшеты для подводного чтения, дешевый безрамочный смартфон и автономная VR-гарнитура

  • Обзор 3D-принтера Funtastique Evo: дешевая, но вполне функциональная DIY-модель

  • Обзор робота-пылесоса Polaris PVCR 0920WV Rufer с функцией влажной протирки полов

  • Новинки Google на любой вкус: Pixel 2, Pixel 2 XL, Pixelbook, Clip, Home Mini и Max

  • Обзор водонепроницаемого бинокля Canon 10x42L IS WP с оптическим стабилизатором

  • Обзор компактного вертикального пылесоса Kitfort КТ-525

  • Обзор 15-дюймового игрового ноутбука MSI GE63VR 7RF Raider 4K с 4K-экраном

  • Ракета вместо самолета, умные AC Amazon, робот-мяч

  • Обзор парогенератора MIE Stiro Pro для глажки, отпаривания и уборки дома

  • Обзор изогнутого 37,5-дюймового IPS-монитора Acer XR382CQK с соотношением сторон 21:9

1212

Календарь

декабрь
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс

Рекомендуем почитать