Похоже, что до массового производства интегральных полупроводниковых микросхем по архитектуре внутричиповых соединений X Architecture остались считанные дни: UMC в прошедший понедельник официально заявила о вступлении в X Initiative и начале приема заказов на выпуск чипов с диагональными соединениями по 180-нм, 150-нм и 130-нм технологическим нормам.
Кстати говоря, этим летом, в июне, прототипы первых чипов на X Architecture продемонстрировали Cadence и Applied Materials 92000, затем, в августе – Toshiba, причем ее прототипы были выполнены по 90-нм нормам.
Напомним, что в X Architecture используются диагональные внутричиповые соединения, позволяющие сэкономить на их длине, немного выиграть в производительности, энергопотреблении и цене. UMC подчеркивает возможность реализации в одном чипе как новых диагональных, так и традиционных (Manhattan design) соединений.