IEDM: нанокристаллы IBM и Motorola позволят выпускать флэш-память по 45-нм нормам

ПредыдущаяСледующая
1174

Очередной шаг в направлении реализации наноэлектронных технологий сделала IBM: как сообщили на конференции IEDM (International Electron Devices Meeting) сотрудники научно-исследовательского центра имени Томаса Ватсона (Thomas J. Watson Research Center), они разработали способ создания нанокристаллической флэш-памяти с точным контролем размеров и позиции нанокристаллов.

Методика IBM напоминает обычные литографические процессы по обработке полупроводниковых микросхем с применением сфокусированного и созданного масками изображения той лишь разницей, что вместо фоторезиста используется полимерный материал, самособирающийся в запирающий элемент ячейки флэш-памяти. Ученые-разработчики новой технологии полагают, что благодаря использованию некоторых элементов опробованных литографических технологий вместо более дорогих технологий замещения в парах (CVD, chemical vapor deposition) или в аэрозолях, не дающих, к тому же, хорошей точности получения размеров. Кроме того, ученые надеются в будущем научиться использовать полимеры для создания трехмерных интегральных схем.

Тонкие пленки IBM состоят из двухблочных сополимеров полистирена (polystyrene) и полиметилметакрилата (polymethyl methacrylate). Пленка полистирена и полиметилетакрилата толщиной 2-3 нм выращивается в растворе на поверхности оксида кремния, формируя правильные гексаногальные плотноупакованные структуры диметром 20 нм и отстоящие друг от друга на 40 нм, заполненные метиметакрилатом. Последний удаляется органическим растворителем, в результате на поверхности остается наноскопический рисунок, который не получить литографическим способом. Поверх полученного рисунка можно нанести дополнительный слой оксида, литографическими способами создать управляющие цепи и проводники. Полученные прототипы обладают ярко выраженной петлей гистерезиса в диапазоне напряжений от 1 до 6 В.

Кроме IBM, со своими подходами к решению проблем масштабирования энергонезависимой памяти на IEDM выступили Motorola, STMicroelectronics и Samsung. Последняя в качестве запирающих элементов будущего поколения NAND флэш-памяти собирается внедрять слоистые структуры нитрида-оксида-нитрида. Проблема, о которой идет речь, заключается в значительной утечке заряда при туннелировании через запирающий вентиль при снижении размеров до нескольких нанометров.

Motorola Semiconductor Products Sector планирует выпустить нанокристаллические чипы флэш-памяти с 90-нм микроконтроллерами уже к 2005 году, используя КМОП-процесс (CMOS). В дальнейшем компания собирается уменьшить нормы нанокристаллических чипов до 65 и 45 нм.

Год назад Motorola сообщала о намерении освоить выпуск флэш-памяти по технологии под кодовым названием Sonos, в которой использовался слой нитрида между полупроводников и оксидом кремния. Однако уже в марте компания рапортовала об успехах в области создания нанокристаллов, в частности, ей удалось достичь нужной плотности и равномерного распределения размеров. Нанокристаллы Motorola обладают размерами около 5 нм в диаметре. Для сравнения, в ячейке флэш-памяти, выполненной по 90-нм нормам, толщина слоя оксида составляет 11 нм.

10 декабря 2003 Г.

11:05

Ctrl
ПредыдущаяСледующая

Все новости за сегодня

Vinci 2.0 — наушники с искусственным интеллектом для занятий физкультурой: На выпуск Vinci 2.0 уже собрано более 260 000 долларов4

Компания Broadcom завершила покупку компании Brocade Communications Systems: Новый владелец планирует разделить Brocade

Начало продаж Apple HomePod отложено: Умная АС Apple появится на рынке в 2018 году31

Анонсирован выпуск карты для работы с видео Blackmagic DeckLink 8K Pro: Карта Blackmagic DeckLink 8K Pro предназначена для захвата и вывода видео в разрешении до 8K DCI4

Samsung SM-W2018 может стать первым смартфоном с камерой, объектив которой имеет диафрагму F/1,5: Смартфон будет представлен в Китае 1 декабря этого года10

Представлена клавиатура Zagg Slim Book для iPad Pro с подсветкой клавиш и местом для Apple Pencil: Цена устройства составляет 120 долларов2

OnePlus 5T получит обновление Android 8.O Oreo в начале 2018 года: Разработчики решили изначально оснастить его Android 7.1.1 Nougat3

В понедельник Toshiba примет решение о привлечении зарубежных инвестиций в размере 5 млрд долларов: Эти средства должны помочь Toshiba удержаться на бирже

По прогнозу DSCC, рынок материалов OLED в ближайшие годы будет расти на 20% в год: К 2022 году он достигнет 2,25 млрд долларов

Опубликован эскиз безрамочного смартфона 360 Mobiles: Компания будет придерживаться устоявшейся традиции, предлагая пользователям смартфоны с впечатляющими характеристиками по привлекательным ценам

997
1318

iXBT TV

  • Обзор аккумуляторной дрели-шуруповерта Bosch GSR 12V-15 FC Professional

  • Заводские экзоскелеты, обновление Firefox, слишком умные наушники

  • Репортаж с конференции Supercomputing 2017 (SC17), день 3: стенд группы компаний РСК

  • Репортаж с конференции Supercomputing 2017 (SC17), день 2: стенд Intel

  • Репортаж с конференции Supercomputing 2017 (SC17), день 1: рейтинг Top500

  • Обзор кинотеатрального DLP-проектора LG PF1000U со встроенным ТВ-тюнером

  • Камера Panasonic G9, унитазный робот, игровой смартфон, кепка для водителей

  • Обзор портативной беспроводной колонки Sven PS-460

  • Обзор напольного пылесоса Tefal Silence Force 4A TW6477 с одноразовыми мешками для сбора мусора

  • Обзор сверхширокоугольного зум-объектива Canon EF 16-35mm f/2.8L III USM

  • Обзор изогнутого 34-дюймового IPS-монитора LG 34UC99 с соотношением сторон 21:9 и белым корпусом

  • Обзор робота-пылесоса Philips SmartPro Active (FC8822/01) с широкой насадкой TriActive XL

1212

Календарь

декабрь
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс

Рекомендуем почитать