IEDM: нанокристаллы IBM и Motorola позволят выпускать флэш-память по 45-нм нормам

1174

Очередной шаг в направлении реализации наноэлектронных технологий сделала IBM: как сообщили на конференции IEDM (International Electron Devices Meeting) сотрудники научно-исследовательского центра имени Томаса Ватсона (Thomas J. Watson Research Center), они разработали способ создания нанокристаллической флэш-памяти с точным контролем размеров и позиции нанокристаллов.

Методика IBM напоминает обычные литографические процессы по обработке полупроводниковых микросхем с применением сфокусированного и созданного масками изображения той лишь разницей, что вместо фоторезиста используется полимерный материал, самособирающийся в запирающий элемент ячейки флэш-памяти. Ученые-разработчики новой технологии полагают, что благодаря использованию некоторых элементов опробованных литографических технологий вместо более дорогих технологий замещения в парах (CVD, chemical vapor deposition) или в аэрозолях, не дающих, к тому же, хорошей точности получения размеров. Кроме того, ученые надеются в будущем научиться использовать полимеры для создания трехмерных интегральных схем.

Тонкие пленки IBM состоят из двухблочных сополимеров полистирена (polystyrene) и полиметилметакрилата (polymethyl methacrylate). Пленка полистирена и полиметилетакрилата толщиной 2-3 нм выращивается в растворе на поверхности оксида кремния, формируя правильные гексаногальные плотноупакованные структуры диметром 20 нм и отстоящие друг от друга на 40 нм, заполненные метиметакрилатом. Последний удаляется органическим растворителем, в результате на поверхности остается наноскопический рисунок, который не получить литографическим способом. Поверх полученного рисунка можно нанести дополнительный слой оксида, литографическими способами создать управляющие цепи и проводники. Полученные прототипы обладают ярко выраженной петлей гистерезиса в диапазоне напряжений от 1 до 6 В.

Кроме IBM, со своими подходами к решению проблем масштабирования энергонезависимой памяти на IEDM выступили Motorola, STMicroelectronics и Samsung. Последняя в качестве запирающих элементов будущего поколения NAND флэш-памяти собирается внедрять слоистые структуры нитрида-оксида-нитрида. Проблема, о которой идет речь, заключается в значительной утечке заряда при туннелировании через запирающий вентиль при снижении размеров до нескольких нанометров.

Motorola Semiconductor Products Sector планирует выпустить нанокристаллические чипы флэш-памяти с 90-нм микроконтроллерами уже к 2005 году, используя КМОП-процесс (CMOS). В дальнейшем компания собирается уменьшить нормы нанокристаллических чипов до 65 и 45 нм.

Год назад Motorola сообщала о намерении освоить выпуск флэш-памяти по технологии под кодовым названием Sonos, в которой использовался слой нитрида между полупроводников и оксидом кремния. Однако уже в марте компания рапортовала об успехах в области создания нанокристаллов, в частности, ей удалось достичь нужной плотности и равномерного распределения размеров. Нанокристаллы Motorola обладают размерами около 5 нм в диаметре. Для сравнения, в ячейке флэш-памяти, выполненной по 90-нм нормам, толщина слоя оксида составляет 11 нм.

10 декабря 2003

11:05

Ctrl
ПредыдущаяСледующая

Все новости за сегодня

Поисковик Google теперь будет предоставлять короткие превью для видеороликов: Поисковая система Google сможет показывать превью-видео2

Смартфон HomTom S8 также копирует дизайн Samsung Galaxy S8: Цена устройства составит 190 долларов4

Процессоры Intel Core восьмого поколения не будут дороже актуальных CPU: Intel не поднимет цены на CPU при выходе Coffee Lake16

AMD пока не может гарантировать наличия в магазинах видеокарт Radeon RX Vega 64 по рекомендованным ценам: AMD призналась в дефиците карт Vega 12

Смартфон Xiaomi Redmi Note 5A первым в серии получит два выделенных слота для SIM-карт и слот для карты памяти: Одна из версий Xiaomi Redmi Note 5A получит фронтальную камеру разрешением 16 Мп со светодиодной вспышкой4

Hyundai сконцентрируется на электромобилях вместо машин на топливных элементах : Hyundai увеличит объёмы выпуска электромобилей1

Samsung Pay отмечает два года, сумма платежей составила $8,77 млрд: Samsung Pay в данный момент работает в 18 странах мира8

Samsung готовится к глобальному запуску Bixby: Персональный помощник по-прежнему недоступен во многих странах мира1

Умные кроссовки Xiaomi Free Tie Leather оценены в $30: Кроссовки оснащены светодиодной подсветкой, процессором, а также модулем Bluetooth 4.09

Семейство 3D-карт Colorful iGame Vulcan X пополнили модели GTX 1080 Ti, GTX 1080, GTX 1070 и GTX 1060: Общей чертой этих 3D-карт является система охлаждения, в кожух которой встроен жидкокристаллический индикатор3

Конструкция компьютерного корпуса Thermaltake View 71 Tempered Glass Edition включает четыре панели из закаленного стекла: Цену новинки производитель не называет3

ВИКТОРИНА ASUSTOR

Процессор с какой архитектурой установлен в ASUSTOR AS6302T, благодаря которому производительно выросла на 30% по сравнению с прошлым поколением?
1318

iXBT TV

  • Обзор легкой, компактной и дешевой мясорубки Kitfort KT-2101 Carnivora

  • Обзор беззеркальной фотокамеры Fujifilm X-T20

  • Обзор кинотеатрального DLP-проектора BenQ W11000 с эмуляцией разрешения 4К

  • AMD Ryzen Threadripper 1920Х и 1950X — тестирование 12-ядерного и 16-ядерного процессоров

  • Обзор мини-ПК ECS Liva Z на базе процессора Apollo Lake

  • Самый лучший процессор, неудачи Microsoft, гибкие наушники Samsung

  • Обзор цветного МФУ Xerox VersaLink C405 для малых и средних офисов

  • Обзор умного чайника Redmond SkyKettle RK-G200S с подсветкой и нагревом воды до нужной температуры

  • Конфигурируем мини-ПК: изучаем влияние памяти и накопителя на быстродействие системы

  • 3D-карты AMD Radeon RX Vega, цены, спецификации, смартфон Meizu Pro 7

  • Обзор лазерного цветного МФУ Canon imageRunner Advance C3520i, младшего в новой линейке

  • Обзор робота-пылесоса iBoto Aqua V710 с функцией влажной уборки

1212

Календарь

декабрь
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс

Рекомендуем почитать