На симпозиуме VLSI Circuits Symposium в Гонолулу на этой неделе Motorola представит энергонезависимые чипы магниторезистивной памяти (МRAM) с временем доступа в 50 нс.
Новые чипы были разработан после тестирования пробных микросхем MRAM объемом 256 и 512 кбит. В новых чипах сохранена структура один транзистор/один магнитный элемент, но в отличие от предыдущих чипов, проводники теперь – медные. Так будет легче интегрировать новую MRAM в системы на чипе (SоC), считает Motorola, так как в последних использование медных проводников подразумевается как само собой разумеющееся.
Устроены новые чипы следующим образом: над слоем проводников нанесен слой мягкого (с небольшой магнитной проницаемостью) ферромагнетика, в котором концентрируется основной поток магнитного поля. Кстати, благодаря лучшей концентрации магнитного потока внутри ферромагнетика энергопотребление и наводки удалось снизить почти вдвое.
Motorola планирует выпустить пробные микросхемы уже в следующем году, в первые попытки наладить производство будут осуществлены в начале 2004 года.
Нынешние чипы, производящиеся по 0,6-мкм техпроцессу, обеспечивают время считывания около 50 нс. В будущем, если будет освоено производство по 0,18-мкм техпроцессу, возможно будет уменьшить время считывания до 10 нс. Тогда MRAM может даже стать серьезным конкурентом флэш-памяти.