Вчера на конференции SPIE Microlithgraphy корпорации ASML, Canon и Nikon доложили о первых шагах в освоении технологии, которая, по их совместному мнению, может стать революционной - иммерсионной (immersion – англ. погружение) литографии.
Первый доклад озвучили сотрудники RIT (Rochester Institute of Technology), сообщив о том, что по заказу ASML успешно разработали два иммерсионных сканера, позволяющих создавать 70-нм рисунки.
Следующей аудиторию SPIE удивила Nikon, сообщив о том, что располагает данными о возможности использования иммерсионной технологии в 193-нм сканерах, что позволяет создавать чипы по 65-нм нормам.
Чтобы не отстать от своих конкурентов, Canon также заявила о том, что создала рабочую группу по разработке иммерсионных инструментов в сотрудничестве с Sematech.
Иммерсионная литография интересна тем, что теоретически может позволить продлить жизненный цикл 193-нм сканеров до 45-нм норм, составив, таким образом, серьезную конкуренцию 157-нм и коротковолновым EUV-сканерам. Однако если все окажется так же хорошо, как расписывают компании, есть мнение, что 157-нм сканеры вместе с иммерсионной технологией позволят создавать чипы по 32-нм нормам (если не ошибаюсь, это всего лишь на порядок больше квантового ограничения на размер элемента в кремнии).