Taiwan Economic News и Financial Times сообщают о том, что заключив альянс, Infineon и Nanya смогли обойти своих основных конкурентов (Hynix и Micron) и выйти на второе место. Лидер рынка Samsung за прошедший квартал продал 389 млн. в 128 Мбит-эквивалентных чипов, а рыночная доля составила 29,8%, в то время как суммарная рыночная доля Infineon + Nanya – чуть больше 20%. Главный управляющий Infineon Ульрих Шумахер (Ulrich Schumacher) сообщил, что компании поставили перед собой цель занять первое место на рынке DRAM к 2006 году.
По условиям партнерского соглашения между двумя компаниями, на долю Nanya придется треть производственных мощностей 90-нм и 70-нм норм, в то время как оставшиеся две трети, возможно, будут отданы контрактным производителям.
Одновременно с усилением партнерских отношений с Nanya, Infineon проводит переговоры и с китайскими SMIC (Semiconductor Manufacturing International Corp.) и Shanghai Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Эти две компании, как ожидается, освоят производство чипов для Infineon по 0,11-мкм и 0,14-мкм нормам.
Как Infineon, так и Nanya, используют в производстве тренч-технологию (trench-type DRAM), в то время как Samsung, Hynix, Micron и Elpida Memory – стековую (stack-type). В настоящее время, по мнению Шумахера, только Samsung может составить сколько-нибудь серьезную конкурецию альянсу Infineon-Nanya, особенно после того, как Nanya уйдет в отрыв с началом массового выпуска чипов на 300-мм подложках на новом заводе. В то же время, по его мнению, Hynix и Micron ждут тяжелые времена, так как и та, и другая до сих пор не переоборудовали свои производственные линии и страдают из-за слишком малой эффективности своего производства.