UMC и HBA (High Bandwidth Access) сообщают о выпуске высокоскоростных интегральных микросхем статической оперативной памяти (SRAM) по 90-нм технологическим нормам. Ожидается, что вскоре начнется массовое производство HBA SRAM.
Напряжение питания новых чипов памяти составляет 0,8-1,4 В, а сами чипы рассчитаны в перспективе на интеграцию в системы-на-чипе (SoC).