Исследователи Института технологий Samsung, SAIT, и Национального университета Чонбук разработали базу для создания энергонезависимой памяти для ПК из нанотрубок. Ученые создали из нанотрубок транзистор, поверх которого расположен слой нитрида кремния, помещенный между двумя слоями оксида кремния. Собственно, именно этот "бутерброд" удерживает электрический заряд, а транзистор нужен в качестве стока/истока.
При вертикальном размещении, как отмечают специалисты, такие "носители" информации могут позволить создавать память с плотностью 200 Гбит/дюйм?, что примерно в 200 раз больше плотности чипов, используемых сегодня. При практическом применении такая память способна хранить данные в течение 10-15 лет.