Главная » Новости » 2003 » 07 » 14 14 июля 2003

MoSys портирует технологии 1T-SRAM-Q на 90-нм процессы

MoSys сообщила сегодня о портировании технологий псевдостатической памяти высокой плотности 1T-SRAM-Q на 0,13-мкм и 90-нм технологические процессы UMC. Таким образом, компании продолжат совместную деятельность, одним из направлений которой сейчас является выпуск предыдущей версии псевдостатической памяти 1T-SRAM-R (об отличиях двух версий можно почитать тут).

Как сообщается, площадь одной запоминающей ячейки в чипе памяти, выпускаемом по 90-нм нормам, составит около 0,28 кв. нм.

16:16 14.07.2003
Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



июль
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
2003

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.