MoSys сообщила сегодня о портировании технологий псевдостатической памяти высокой плотности 1T-SRAM-Q на 0,13-мкм и 90-нм технологические процессы UMC. Таким образом, компании продолжат совместную деятельность, одним из направлений которой сейчас является выпуск предыдущей версии псевдостатической памяти 1T-SRAM-R (об отличиях двух версий можно почитать тут).
Как сообщается, площадь одной запоминающей ячейки в чипе памяти, выпускаемом по 90-нм нормам, составит около 0,28 кв. нм.