Южнокорейский полупроводниковый гигант объявил об увеличении объемов выпуска чипов памяти типа DDR3, изготавливаемых по технологии «40-нанометрового класса». Потребность в этом вызвана растущим спросом со стороны производителей серверных модулей памяти.
В свою очередь, спрос на модули памяти для серверов увеличился вслед за недавним выпуском процессоров Intel серии Xeon 5600 и Xeon 7500. Эти процессоры обеспечивают высокую производительность и малое энергопотребление серверов, работая в паре с памятью типа DDR3.
Используя память DDR3 производства Samsung Electronics, производители могут укомплектовывать системы на базе Xeon 5500 внушительным объемом памяти — 192 ГБ (16 ГБ x 12). При использовании процессоров Xeon 5600 и напряжении питания 1,35 В снижение энергопотребления составляет 73%, а пропускная способность — удваивается по сравнению с память типа DDR2. В случае платформы Xeon 7500 система с четырьмя процессорными гнездами может получить до 1 ТБ памяти.
Сейчас ассортимент продуктов DDR3 производства Samsung включает чипы плотностью 1, 2 и 4 Гбит, буферизованные модули DIMM объемом 1, 2, 4, 8, 16 и 32 ГБ и небуферизованные модули с поддержкой ECC объемом 1, 2, 4 и 8 ГБ. Изготавливаемые по технологии «40-нанометрового класса» чипы DDR3 поддерживают скорости передачи 800, 1066, 1333 и 1600 Мбит/с.
Источник: Samsung Electronics