Стремясь занять лидирующее положение на рынке контрактного производства и не отстать от Intel, тайваньская TSMC (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co.) вчера представила некоторые детали своего нового 45-нм технологического процесса, который будет предоставляться клиентам компании уже в 2007 году, в котором, напомним, запланировано начало производства первых 45-нм процессоров Intel.
И хотя часть решений, присущих 65-нм производственным процессам, в 45-нм технологии возможно будут сохранены, в дальнейшем от них придется отказаться, так как для них 45-нм нормы станут своего рода «водоразделом»: речь идет о диэлектриках с большой диэлектрической постоянной (high-k) и металлических затворах. К моменту перехода на нормы 32 нм эти две технологии уйдут в небытие, а их место займут другие.
Изначально, TSMC предложит своим клиентам низковольтные варианты 45-нм технологических процессов. «Рисковое» производство может быть осуществлено уже в третьем квартале будущего года. В дальнейшем будут предложены и другие варианты 45-нм технологии.
Сейчас 45-нм процесс TSMC содержит 10 металлизированных слоев, длина затвора не превышает 26 нм. Проводники выполняются из меди, в области затвора создается тройной слой оксида кремния, используется «напряженный кремний» (strained silicon), и новое поколение диэлектриков с малой диэлектрической постоянной (low-k). Для выпуска микросхем с соблюдением норм 45-нм техпроцесса используются 193-нм иммерсионные литографические инструменты производства ASML. Диэлектрическая проницаемость low-k пленки составляет 2,5-2,6. Для сравнения, в 90-нм и 65-нм процессах используются low-k диэлектрики с диэлектрической постоянной 2,9-3,0. Пленки напыляются по технологии Applied Materials Black Diamond.
В то же время, как и остальные производители полупроводниковых ИС, TSMC ведет исследование возможности использования high-k изоляторов в 45-нм техпроцессах, что позволило бы упростить и удешевить переход на новые нормы. Однако, наблюдатели оценивают шансы на применение устаревшей технологии в новом процессе как «достаточно низкие».