Исследование основных характеристик модулей памяти. Часть 4: Модули Corsair DDR2Мы продолжаем новый цикл статей, посвященный изучению важнейших характеристик модулей памяти на низком уровне с помощью разработанного нами тестового пакета RightMark Memory Analyzer. Цель этого исследования заключается в предоставлении информации о совместимости данного модуля памяти данного производителя с различным набором материнских плат, основанных на тех или иных чипсетах. Объектом нашего очередного исследования выступит «согласованная» пара (matched pair) модулей DDR2 Corsair общим объемом 1 ГБ. Информация о производителе модуля
Производитель модуля: Corsair Memory Внешний вид модуляФото модуля памяти
Фото чипа памяти
Part Number модуля и чипа
Расшифровка Part Number модуля
В краткой технической документации данного вида модулей памяти DDR2 Corsair (http://www.corsairmemory.com/corsair/products/specs/twin2x1024-5400c4.pdf) не приведена информация о расшифровке отдельных составляющих Part Number. Тем не менее, система назначения Part Number модулей Corsair является достаточно простой, и ее нетрудно расшифровать самостоятельно.
Из дополнительных технических характеристик модулей следует отметить рекомендованное питающее напряжение в 1.9 В, превышающее значение, приведенное в официальной спецификации JEDEC (1.8 В), а также рекомендованные значения таймингов 4-4-4-12, которые, как утверждается в документации, прописаны в микросхеме SPD модуля. Расшифровка Part Number чипа
Как отмечалось ранее, вследствие ограничений по размеру FBGA-упаковки, чипы памяти Micron, используемые в модулях Kingmax DDR2, имеют сокращенную маркировку, отличную от от их полного Part Number-а. Преобразование сокращенной формы записи Part Number любого чипа памяти Micron в полную можно осуществить на сайте производителя с помощью декодера, расположенного по адресу http://www.micron.com/decoder/
Интересно отметить, что в рассматриваемых модулях, имеющих рейтинг PC2-5300, используются вполне стандартные микросхемы памяти Micron DDR2-533, рассчитанные на функционирование в этом режиме со стандартными таймингами 4-4-4. В частности, такие же микросхемы, но с применением свинец-содержащей пайки, используются в модулях DDR2 Kingmax. Данные микросхемы SPD модуля
Описание общего стандарта SPD:
Описание специфического стандарта SPD для DDR2:
Согласно данным микросхемы SPD, данный модуль способен функционировать при единственном значении величины задержки CAS# (CL X), равным 4, с временем цикла 3.00 нс, т.е. при частоте 333.3 МГц (в режиме DDR2-667). Схема таймингов памяти для этого случая может быть записана как 4-5-5-15, что, вообще говоря, расходится с данными, приведенными в технической документации модулей. Тем не менее, абсолютные значения параметров tRCD (15.0 нс), tRP (15.0 нс) и tRAS (45.0 нс) можно считать стандартными для модулей DDR2-533, знакомых нам по предыдущим исследованиям (что неудивительно, ввиду использования «стандартных» микросхем DDR2-533). Среди прочих особенностей содержимого микросхемы SPD следует отметить отсутствие данных о дате изготовления и серийном номере модуля. Конфигурации тестовых стендов и ПОМатеринские платы на чипсетах серии Intel 915Тестовый стенд №1
Тестовый стенд №2
Тестовый стенд №3
Тестовый стенд №4
Тестовый стенд №5
Тестовый стенд №6
Материнские платы на чипсетах серии Intel 925Тестовый стенд №7
Тестовый стенд №8
Тестовый стенд №9
Тестовый стенд №10
Тестовый стенд №11
Результаты тестированияКак мы уже писали ранее, тестирование модулей памяти осуществлялось в двух режимах. Первая серия тестов (тесты производительности) проводилась в штатном режиме, т.е. со стандартными значениями таймингов, записанными в микросхеме SPD; вторая (тесты стабильности) — в «экстремальном» режиме, при выставлении минимально возможных значений таймингов для данного модуля на данной материнской плате. Материнские платы на чипсетах серии Intel 915Тесты производительностиПоскольку нынешнее поколение чипсетов Intel 915/925 не позволяет подсистеме памяти функционировать с частотами более 300 (а на большинстве плат — 266.7) МГц, первая серия тестов — тестов производительности модулей DDR2 Corsair проводилась при частоте памяти 266.7 МГц (в режиме DDR2-533), номинальном согласно стандарту DDR2 питающем напряжении 1.8 В при значениях таймингов 4-4-4-12, которые, несмотря на то, что режим DDR2-533 не прописан в микросхеме SPD модулей, выставлялись по умолчанию в BIOS всех протестированных материнских плат. |
| Параметр* | Стенд 1 | Стенд 2 | Стенд 3 | Стенд 4 | Стенд 5 | Стенд 6 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Тайминги | 4-4-4-12 | 4-4-4-12 | 4-4-4-12 | 4-4-4-12 | 4-4-4-12 | 4-4-4-12 |
| Средняя ПСП на чтение, МБ/с | 4505 | 4504 | 4497 | 4567 | 4524 | 4530 |
| Средняя ПСП на запись, МБ/с | 2086 | 2080 | 2083 | 2124 | 2071 | 2075 |
| Макс. ПСП на чтение, МБ/с | 6390 | 6395 | 6396 | 6491 | 6416 | 6434 |
| Макс. ПСП на запись, МБ/с | 4267 | 4267 | 4267 | 4324 | 4267 | 4282 |
| Минимальная латентность** псевдослучайного доступа, нс | 54.4 | 54.6 | 54.6 | 53.8 | 54.4 | 54.2 |
| Максимальная латентность** псевдослучайного доступа, нс | 63.3 | 63.6 | 63.7 | 62.7 | 63.4 | 63.2 |
| Минимальная латентность** случайного доступа, нс | 128.6 | 128.5 | 128.4 | 126.9 | 128.8 | 128.0 |
| Максимальная латентность** случайного доступа, нс | 153.7 | 153.5 | 153.5 | 151.6 | 153.8 | 153.0 |
*жирным шрифтом отмечены наилучшие показатели
**Размер блока 16 МБ
|
Среди материнских плат на 915-й серии чипсетов Intel в очередной раз лидирует MSI 915P Neo2 (стенд №4). Вслед за ней располагаются ASUS P5GDC-V (стенд №6) и MSI 915G Combo (стенд №5), выдвигая на последнее место продукцю Foxconn (стенды №2, 3) и Intel (стенд №1). Как и в наших предыдущих тестированиях модулей Kingston и Kingmax, каких-либо преимуществ чипсета i915P над i915G (или наоборот) не наблюдается. Тесты стабильностиСогласно методологии нашего тестирования, вторая серия тестов — тестов стабильности функционирования модулей DDR2 Corsair проводилась с минимально возможными значениями таймингов, не приводящими к сбоям. На системных платах, позволяющих изменять пряжение питания модулей памяти в BIOS, выставлялось «рекомендованное» производителем данных модулей напряжение 1.9 В, на остальных подразумевалось, что оно равно номинальному значению 1.8 В. Отметим, что «странность», с которой мы столкнулись при тестировании модулей памяти Kingmax, проявила себя и на модулях Corsair. А именно, оба типа модулей позволяют выставлять в конфигурационных регистрах чипсета любое значение длительности импульса сигнала RAS# (tRAS), от 15 до 3, не реагируя на это событие никаким образом. В связи с этим, мы вынуждены в очередной раз ограничиться лишь первыми тремя параметрами таймингов. |
| Параметр* | Стенд 1 | Стенд 2 | Стенд 3 | Стенд 4 | Стенд 5 | Стенд 6 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Тайминги | 4-4-3 (1.8 В) |
4-3-3 (1.8 В) |
4-3-3 (1.8 В) |
3-3-3 (1.9 В) |
3-3-3 (1.9 В) |
3-3-3 (1.9 В) |
| Средняя ПСП на чтение, МБ/с | 4526 | 4539 | 4543 | 4749 | 4676 | 4690 |
| Средняя ПСП на запись, МБ/с | 2128 | 2174 | 2168 | 2251 | 2336 | 2295 |
| Макс. ПСП на чтение, МБ/с | 6430 | 6448 | 6456 | 6552 | 6465 | 6487 |
| Макс. ПСП на запись, МБ/с | 4267 | 4266 | 4267 | 4324 | 4267 | 4282 |
| Минимальная латентность** псевдослучайного доступа, нс | 54.3 | 54.3 | 54.3 | 52.0 | 52.8 | 52.6 |
| Максимальная латентность** псевдослучайного доступа, нс | 63.3 | 63.2 | 63.2 | 60.3 | 61.4 | 61.0 |
| Минимальная латентность** случайного доступа, нс | 125.8 | 122.3 | 122.4 | 117.5 | 119.3 | 118.9 |
| Максимальная латентность** случайного доступа, нс | 151.4 | 147.9 | 148.1 | 142.5 | 144.4 | 144.0 |
*жирным шрифтом отмечены наилучшие показатели
**Размер блока 16 МБ
|
Из представленных данных таблицы четко видна прямая зависимость между питающим напряжением и минимальной величиной задержки CAS#. Так, модули DDR2 Corsair способны устойчиво функционировать при величине tCL = 3 при напряжении питания 1.9 В, тогда как при его понижении до номинала (1.8 В) минимальное устойчивое значение tCL = 4. Итак, наибольшая стабильность функционирования подсистемы памяти, и наименьшие значения таймингов — 3-3-3 наблюдается на материнских платах MSI (стенды №4, 5) и ASUS (стенд №6). Продукция Foxconn, в связи с невозможностью изменения напряжения питания памяти, демонстрируют результат похуже — минимальные тайминги 4-3-3. Наконец, последний результат, как по стабильности (тайминги 4-4-3), так и по производительности в штатном и «экстремальном» режимах показывает Intel D915GUX. Материнские платы на чипсете Intel 925XТесты производительностиСреди материнских плат на чипсете Intel 925X в первой серии тестов лидерство также достигается продукцией MSI — системной платой MSI 925X Neo (стенд №10). Второе место, с минимальными отличиями, занимают платы Gigabyte 8ANDXP-D (стенд №7) и ASUS P5AD2 (стенд №9). Практически не уступает им, а по некоторым показателям (максимальная реальная ПСП) — даже превосходит еще один участник наших тестов — системная плата Foxconn 925A01 (стенд №11). Худший результат (ощутимо меньшую реальную ПСП и ощутимо большую латентность памяти) показывает Intel D925XCV (стенд №8). |
| Параметр* | Стенд 7 | Стенд 8 | Стенд 9 | Стенд 10 | Стенд 11 |
|---|---|---|---|---|---|
| Тайминги | 4-4-4-12 | 4-4-4-12 | 4-4-4-12 | 4-4-4-12 | 4-4-4-12 |
| Средняя ПСП на чтение, МБ/с | 4682 | 4527 | 4669 | 4717 | 4653 |
| Средняя ПСП на запись, МБ/с | 2464 | 2432 | 2456 | 2461 | 2425 |
| Макс. ПСП на чтение, МБ/с | 6412 | 6363 | 6400 | 6515 | 6422 |
| Макс. ПСП на запись, МБ/с | 4287 | 4267 | 4282 | 4327 | 4267 |
| Минимальная латентность** псевдослучайного доступа, нс | 51.8 | 54.4 | 51.9 | 51.3 | 52.1 |
| Максимальная латентность** псевдослучайного доступа, нс | 60.0 | 63.1 | 60.1 | 59.5 | 60.5 |
| Минимальная латентность** случайного доступа, нс | 123.4 | 128.2 | 123.4 | 122.4 | 124.0 |
| Максимальная латентность** случайного доступа, нс | 148.1 | 153.2 | 148.2 | 146.9 | 149.0 |
*жирным шрифтом отмечены наилучшие показатели
**Размер блока 16 МБ
|
В тестах производительности модулей DDR2 Corsair с материнскими платами на чипсете Intel 925X первое место вновь достается продукции MSI — системной плате 925X Neo (стенд №10). Второе место, с почти одинаковым результатом, разделяют сразу три системные платы — Gigabyte 8ANDXP-D (стенд №7), ASUS P5AD2 (стенд №9) и Foxconn 925A01 (стенд №11). Наихудшие показатели ПСП и латентности модули памяти Corsair, как и ранее протестированные модули Kingston и Kingmax, демонстрируют на материнской плате Intel D925XCV. Как и прежде, производительность подсистемы памяти на платах с чипсетом i925X в целом выше, чем на платах с чипсетами i915P/G. Тесты стабильности |
| Параметр* | Стенд 7 | Стенд 8 | Стенд 9 | Стенд 10 | Стенд 11 |
|---|---|---|---|---|---|
| Тайминги | 3-3-3 (1.9 В) |
3-3-3 (1.95 В) |
3-3-3 (1.9 В) |
3-3-3 (1.9 В) |
4-3-3 (1.9 В) |
| Средняя ПСП на чтение, МБ/с | 4886 | 4688 | 4871 | 4912 | 4681 |
| Средняя ПСП на запись, МБ/с | 2486 | 2455 | 2470 | 2447 | 2394 |
| Макс. ПСП на чтение, МБ/с | 6487 | 6435 | 6469 | 6577 | 6473 |
| Макс. ПСП на запись, МБ/с | 4287 | 4267 | 4282 | 4327 | 4267 |
| Минимальная латентность** псевдослучайного доступа, нс | 49.5 | 51.7 | 49.6 | 49.2 | 52.0 |
| Максимальная латентность** псевдослучайного доступа, нс | 57.9 | 60.0 | 57.9 | 57.5 | 60.4 |
| Минимальная латентность** случайного доступа, нс | 113.2 | 117.4 | 113.5 | 112.5 | 117.7 |
| Максимальная латентность** случайного доступа, нс | 137.5 | 142.1 | 137.6 | 136.4 | 142.6 |
*жирным шрифтом отмечены наилучшие показатели
**Размер блока 16 МБ
|
Как видно из данных, приведенных в таблице, все протестированные материнские платы с чипсетом i925X поддерживают смену питающего напряжения модулей памяти в большую сторону (до 1.9 или 1.95 В и выше). Соответственно, практически на всех системных платах рассматриваемые модули устойчиво функционируют при задержке CAS#, равной 3, за исключением Foxconn 925A01 (стенд №11), на которой модули Corsair устойчиво работают лишь при tCL = 4, несмотря на питающее напряжение 1.9 В. В связи с увеличенным значением задержки CAS# эта системная плата демонстрирует результат производительности подсистемы памяти, сравнимый с тем, который показывает Intel D925XCV (стенд №8). Итоги
Проведенное нами тестирование показывает, что модули DDR2 Corsair способны устойчиво функционировать в режиме DDR2-533 с воистину «фантастическими» значениями таймингов 3-3-3 на большинстве материнских плат, способных подавать на модули памяти рекомендованное производителем питающее напряжение 1.9 В. Наилучшие показатели, как производительности, так и стабильности функционирования подсистемы памяти, в очередной раз показывают материнские платы MSI (925X Neo и 915P Neo2), ASUS (P5AD2 и P5GDC-V) и Gigabyte 8ANDXP-D; наихудшие — платы Intel (D925XCV и D915GUX).
| ||
Обсудить в конференции
| ||
| Комментарии? Поправки? Дополнения? peek@ixbt.com |
|
Copyright © by iXBT.com, 1997—2008. Produced by iXBT.com
|
