Samsung начинает серийный выпуск памяти LPDDR4X DRAM 10-нанометрового класса для автомобильной электроники

Микросхемы плотностью 16 Гбит гарантированно работают при температуре до 125°C

ПредыдущаяСледующая

Компания Samsung Electronics сегодня объявила о начале массового производства 16-гигабитных микросхем LPDDR4X DRAM, изготавливаемых по технологии 10-нанометрового класса и предназначенных для автомобилей.

Samsung начинает серийный выпуск памяти LPDDR4X DRAM 10-нанометрового класса для автомобильной электроники

Производитель отмечает, что новая память демонстрирует высокую производительность и энергетическую эффективность, сохраняя работоспособность в экстремальных условиях, которые свойственны указанной области применения. В частности, в диапазоне температур от -40°C до 125°C, соответствуя требованиям Automotive Grade 1.

Интерфейс LPDDR4X является самым быстрым в случае «автомобильной» памяти. Новая память Samsung характеризуется пропускной способностью 4266 Мбит/с, что на 14% превосходит показатель памяти LPDDR4 DRAM плотностью 8 Гбит, выпускаемой по 20-нанометровой технологии. Превосходство новой памяти по энергетической эффективности достигает 30%.

25 апреля 2018 Г.

10:58

Ctrl
ПредыдущаяСледующая

Все новости за сегодня

Календарь

апрель
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс