106623599171354111153@google

На корпусе транзистора? То есть, мне специально для Вас нужно просверлить отверстие в радиаторе, поставить туда термопару и потом заполнить это отверстие сплавом Вуда или Розе.
Губозакаточную машинку с реактивным приводом Вам, молодой человек. :)

Если специалист — жду хоть каких-то расчетов. :)
Ввиду наличия FIVR (допуская схожий КПД у преобразователей) токовая нагрузка в 1.8 раза меньше на каждую «фазу» относительно «классического» процессора с питанием 1 вольт. Итого 6 «фаз» на LGA2011 — это, по токовой загрузке на один транзистор, примерно 10 фаз на LGA1700 (разумеется, при равном TDP). Вы, конечно, можете возразить про пульсации, но этим явно покажете, что специалистом не являетесь.

Е5 2696, рассчитывал электромагнитные поля внутри интегральной микросхемы с загрузкой всех 36 потоков на 100% и блоком турбобуста (ну то есть процессор долбится в 145 ватт), длительность расчета — чуть больше 4 суток, полёт нормальный. Может, дело не в бобине?..

У Вас большой опыт проектирования DC/DC-конвертеров? :)
Я просто не пойму, во-первых, что значит «дико», ибо для куска три раза легированного кремния по техпроцессу в районе микрона (коим является ключевой полевой транзистор) даже 90-100 градусов — это безопасная рабочая температура, во-вторых, почему водянка на проце — это хорошо, а обдув зоны VRM — это плохо. :)

Давайте считать.
Напряжение на процессорах сокета 2011-3 составляет 1.8 вольта (спасибо Intel FIVR).
Если потребление 150 Вт, ток по шине питания составляет 83 ампера. Округлим вверх до 85 ампер.
Пиковое значение в преобразователе, если брать меандр и коэффициент заполнения 1/2, будет 170 ампер. Шесть транзисторов по 40 ампер будут работать с загрузкой 70% — отличный результат, обычно для коммерческих преобразователей берут загрузку около 80%.