Для работы проектов iXBT.com нужны файлы cookie и сервисы аналитики.
Продолжая посещать сайты проектов вы соглашаетесь с нашей
Политикой в отношении файлов cookie
Я вот не совсем понял. В комментариях видимо автор пишет, что память разноранговая. Ну хорошо. Т.е если я правильно понимаю одна плашка сингл ранк и вторая дуал ранк. Возникает логичный вопрос: зачем в пару брать такие? Получаем итог конские тайминги на 2666. И сравнение задержек 3200 cl16 с 2666 cl20. Ну и да, латентность снизилась как бы, но результат так себе. Наверное вторички стоило настроить. Да и попробовать и взять ну 3400 хотя бы. Вольтаж 1.35-1.4 попробовать… А то пост про разгон, а разгона то как бы и нет, учитывая что 3200 это рекомендованная для r3 3100 частота памяти.
Нужно было назвать пост «как облажаться при покупке памяти а потом попытаться всё исправить».
О! Ну так это же другое дело! Скорости выросли до нормальных, а задержка памяти как упала… 18 тайминги, а лэтенси меньше чем у меня на 16-ых!
Если поджать тайминги можно вообще обалденный результат получить)
Надеюсь меня asus тоже порадует в следующем релизе Биос)
Что-то ты не то сделал бро. У меня тоже есть 4650G. Правда на ASUS b550 tuf
http://i.piccy.info/i9/279611c8bb75d087731dc2a71531ba59/1600325137/93148/1396627/cachemem.png
dram volt = 1.415
SoC volt = 1.2 (с выключеной vega в биос)
samsung b-die
Нужно было назвать пост «как облажаться при покупке памяти а потом попытаться всё исправить».
Если поджать тайминги можно вообще обалденный результат получить)
Надеюсь меня asus тоже порадует в следующем релизе Биос)
http://i.piccy.info/i9/279611c8bb75d087731dc2a71531ba59/1600325137/93148/1396627/cachemem.png
dram volt = 1.415
SoC volt = 1.2 (с выключеной vega в биос)
samsung b-die