Samsung разрабатывает DRAM производительность которой предположительно превосходит DDR5

Samsung разрабатывает новый тип памяти под названием Low Latency Wide I/O (LLW) DRAM, который объединяет высокую пропускную способность, низкую задержку и низкое энергопотребление. LLW DRAM от Samsung обладает пропускной способностью на уровне 128 ГБ/с на модуль или стек. В сравнении с 128-битной подсистемой памяти DDR5-8000, которая может предложить аналогичную пропускную способность, LLW DRAM отличается значительно более низким энергопотреблением — 1,2 пДж/бит. Однако Samsung не раскрывает подробности о скорости передачи данных, при которой достигается указанное энергопотребление.

На данный момент компания Samsung не предоставляет подробной информации о своей разработке LLW DRAM, хотя уже достаточно долго изучает память с широкими интерфейсами, включая GDDR6W.

Возможно, что при разработке LLW DRAM Samsung использует несколько устройств DRAM, смонтированных в один корпус с использованием технологии Fowlp (Fan-Out Wafer-Level Packaging) для расширения интерфейса и увеличения емкости. Такой подход может обеспечить высокую производительность и низкое энергопотребление.

Учитывая, что Samsung стандартизировала GDDR6W и планировала использовать ее для искусственного интеллекта, высокопроизводительных вычислительных ускорителей и клиентских ПК, можно предположить, что LLW DRAM позиционируется для других приложений. С учетом своей низкой мощности, он может быть использован в периферийных вычислительных устройствах с возможностями искусственного интеллекта, смартфонах, ноутбуках.