Samsung: полномасштабное производство 2-нм GAA пластин начнётся во второй половине 2025 года

Южнокорейский производитель электроники Samsung заявил, что во второй половине 2025 года намерен начать полномасштабное производство фирменных 2-нм пластин GAA.

Об этом сообщает интернет-издание WCCF Tech. По словам издания, в 2-нанометровом технологическом процессе (далее 2-нм техпроцесс) важную роль играет новая технология транзисторов с круговым затвором GAA (gate-all-around). Транзисторы, изготовленные с её использованием, являются конструктивно новыми и способны за счёт улучшенного прохождения электрического тока значительно повысить их энергоэффективность и производительность. Издание также отмечает, что это же время производитель попытается заполучить прибыльных клиентов, чтобы не отставать от компании TSMC, которая уже начала принимать заказы на пластины 2-нм в начале текущего месяца.

По мнению интернет-издания, во второй половине 2025 года, литейный бизнес Samsung планирует запустить производство 2-нм пластин в больших объёмах, что обеспечит выполнение крупных заказов на них, а также увеличить свой портфель специализированных процессов.

— С 2-нм технологией GAA есть некоторая полоска надежды, и есть вероятность, что Samsung завершит переговоры с Qualcomm на позитивном узле и в конечном итоге успешно выпустит Snapdragon 8 Elite Gen 2 для Galaxy, который будет поддерживать флагманскую серию 2026 года, — предполагает WCCF Tech.