Samsung поднимает цены на память до 50%: как компания использует дефицит DRAM и HBM

Samsung резко повысила цены на микросхемы памяти на фоне глобального дефицита DRAM и HBM. По данным корейских источников, рост стоимости затронул как высокоскоростную память HBM3E, так и классические DRAM-чипы, а в отдельных случаях подорожание достигает 50%.

Ранее сообщалось о планах Samsung увеличить цены на HBM3E примерно на 20% из-за резкого роста спроса, однако новая информация указывает на более масштабные изменения. По данным отраслевых источников, при продлении контрактов компания требует от клиентов до 50% доплаты за 12-слойные микросхемы HBM3E (12H). Аналогичное повышение цен, по тем же данным, произошло и на рынке DRAM, особенно заметно оно проявилось в четвертом квартале года.

Основной причиной подорожания стал стремительный рост спроса на решения для генеративного искусственного интеллекта. Развитие GenAI привело к увеличению поставок ИИ-ускорителей, для которых память HBM является ключевым компонентом. При этом производство таких микросхем остается ограниченным, что и сформировало дефицит на рынке. Ситуацию усугубило и перераспределение производственных мощностей. Micron и SK Hynix, входящие в тройку крупнейших производителей памяти в мире, сделали ставку на выпуск HBM из-за более высокой маржинальности и сократили объемы производства DRAM. Это привело к дополнительному снижению предложения обычной оперативной памяти. Samsung, в свою очередь, по имеющимся данным, не пошла на значительное сокращение выпуска DRAM и продолжила производить ее в больших объемах, чем SK Hynix. Благодаря этому компания смогла воспользоваться дефицитом сразу в двух сегментах рынка: как HBM, так и DRAM.

На фоне роста цен и устойчивого спроса подразделение Samsung по производству памяти показало рекордные финансовые результаты в четвертом квартале 2025 года. С учетом текущей рыночной ситуации аналитики ожидают, что высокая прибыльность этого направления может сохраниться и в ближайшее время.