Представлены модули оперативной памяти DDR5 512Gb от Samsung Electronics

На днях Samsung Electronics представила первые в мире модули памяти объёмом аж в 512Gb. Эти модули собираются по технологии High-K Metal Gate (HKMG). Заявлено что модули будут в несколько раз быстрее чем DDR4, но при этом будут потреблять меньше энергии.

Технология High-K Metal Gate (HKMG), это относительно новая технология, вошедшая в работу примерно с 2018 года. Ранее она использовалась для производства чипов GDDR6. В основе технологии лежит техника использования межкремниевых соединений (TSV).

На одной планке памяти от Samsung Electronics размещены восемь слоёв с микросхемами DRAM. Каждая из которых имеет объём памяти 16гб. Благодаря этому производителю удалось максимально скомпоновать микросхему и сделать общий объём памяти 512Gb.
При этом такая компоновка позволила не потерять в скоростях работа, а наоборот увеличить её вплоть до 7200 Мбит/с, что более чем в два раза быстрее, чем у представленных на рынке DDR4. Также инженерам удалось добиться и более лучшей энергоэффективности. По сравнению с опять же с, у новых модулей на 13% ниже энергопотребление.

В первую очередь представленная память ориентирована для использования в суперкомпьютерах. Но не за горами, когда данные объёмы памяти будут доступны и обычным покупателям. В данный момент компания Samsung активно тестирует модули уже с клиентами. В ближайшее время будет анонсирована и цена.

Источник: Samsung