Новый техпроцесс Intel 18A-P обеспечил тридцатипроцентный прирост частоты процессоров

Корпорация Intel добилась тридцатипроцентного прироста частоты при напряжении 0,5 вольта на кремниевых пластинах нового узла 18A-P. Интеграция транзисторов Gate-All-Around (GAA) с тыльным подводом питания аппаратно превзошла показатели классических элементов FinFET.

По сравнению с базовой версией 18A модернизированная литография обеспечивает девятипроцентное увеличение производительности при аналогичном потреблении энергии. Архитектура Power Boost использует контакты со сверхнизким сопротивлением, снижая показатели внешнего сопротивления на 20 процентов для NMOS и на 12 процентов для PMOS компонентов. Добавление двух утолщенных слоев металлизации сократило задержки маршрутизации, дав дополнительные 3 процента частоты при напряжении 1,1 вольта.

Инженеры улучшили теплопроводность стека соединений на 50 процентов, что обеспечило общее снижение термического сопротивления чипа на величину от 20 до 40 процентов. Долгосрочная дорожная карта корпорации предусматривает переход на субтрактивные рутениевые межсоединения с воздушными зазорами, снижающие паразитную емкость на 35 процентов по сравнению с медными проводниками.

Первыми коммерческими продуктами на базе литографии 18A-P станут серверные процессоры Diamond Rapids и потребительские решения Nova Lake. Релиз обеих линеек запланирован на 2027 год.