100 миллиардов долларов может составить рынок памяти 3D DRAM. Samsung претендует на лидерство?

Рынок 3D DRAM памяти в ближайшие годы может достичь колоссального объёма. На недавней выставке Samsung представили технологию 3D DRAM для решений памяти следующего поколения и план их разработки и вывода на рынок.

По оценкам, ширина линий DRAM должна опустится ниже 10 нм уже во второй половине этого десятилетия, текущие архитектуры памяти приближаются к пределу масштабирования. Это подстегнуло поиск инновационных решений и одним из них является 3D DRAM, подход к памяти, который сулит серьёзные преимущества с точки зрения увеличения ёмкости и экономии места.

На выставке Memcon 2024 Samsung показали две своих ключевых технологии для 3D DRAM памяти. Речь идёт о транзисторах с вертикальным каналом и многоуровневой DRAM. Транзисторы с вертикальным каналом кардинально отличаются от привычного подхода к компоновке транзисторов. Переводя текущий канал из горизонтального в вертикальный Samsung стремится значительно уменьшить занимаемую площадь транзистора. Однако этот подход также требует существенного улучшения точности процесса травления.

В свою очередь, многоуровневая DRAM нацелена на максимальное использование пространства. В отличие от традиционной 2D DRAM, которая использует только горизонтальную плоскость, многоуровневая DRAM «идёт вверх» по оси z для размещения нескольких слоев ячеек памяти в одном чипе. В случае успеха, такой инновационный подход сможет увеличить объем однокристальной памяти до более чем 100 ГБ, что является существенным скачком по сравнению с текущими ограничениями.

Эти разработки в области технологии 3D DRAM являются частью долгосрочной дорожной карты Samsung по расширению возможностей памяти для различных приложений, включая центры обработки данных, бытовую электронику и новые технологии, такие как искусственный интеллект и сети 5G.

По некоторым прогнозам рынок 3D DRAM достигнет колоссального объёма в 100 миллиардов долларов уже в 2028. Чтобы укрепить свое лидерство в этой гонке, Samsung предприняла упреждающие шаги, создав специализированную исследовательскую лабораторию 3D DRAM в Кремниевой долине ранее в этом году. Этот стратегический шаг позволяет компании привлекать лучших специалистов и ускорять свои исследования и разработки. Кроме этого, в Samsung также ведутся исследования MUF (molded-in-fill, технология литья под давлением) для производства DRAM следующего поколения для серверов.

Амбиции Samsung в области 3D DRAM могут дать толчок всей индустрии памяти и подтолкнуть к началу новой эры в её применении и разработке. Если у южнокорейского техно-гиганта всё получится, то новая технология памяти сможет проторить путь к созданию еще более мощных и компактных электронных устройств в ближайшие годы. Очевидно что конкуренция в этой сфере будет сильнее, потому что другие крупные производители памяти тоже будут стараться заполучить лакомый кусок стомиллиардного рынка. Впрочем, возможно что ранний старт и серьёзные инвестиции в исследования дадут Samsung преимущество, которое позволит компании претендовать на первенство в революции 3D DRAM.

Источник: semiengineering