Samsung Electronics, SK Hynix и Micron вступили в конкурентную борьбу из-за 16-слойной памяти HBM

Между производителями чипов памяти, такими как Samsung Electronics, SK Hynix (Республика Корея) и Micron Technology (США) развернулась конкурентная борьба за разработку 16-слойной сверхбыстрой HBM памяти.

Это следует из публикации ETNews, широко влиятельной новостной платформы в Южной Корее. В публикации утверждается, что это связано с тем, что американская NVIDIA, крупнейшая в мире компания по производству полупроводников для искусственного интеллекта, запросила у отечественных и зарубежных производителей поставки такой памяти в четвёртом квартале 2026 года.

В ответ Samsung Electronics, SK Hynix и Micron начали полномасштабную подготовку производственных мощностей для запуска 16-слойной HBM памяти. В компаниях-конкурентах уже разрабатывается ускоренный график запуска в массовое производство микросхем HBM памяти. По мнению экспертов, оценка их производительности может начаться уже в третьем квартале следующего года.

Издание отмечает, что 16-слойная HBM никогда ранее не коммерциализировалась, и компания, которая первой решит различные технологические проблемы, такие как многослойная структура DRAM, займет лидирующие позиции на рынке.

Источник: ETNews