Зарядное устройство Baseus GaN 100 Вт доступно за 50 долларов
Компания Baseus предлагает потребителям широкий спектр высококачественных продуктов благодаря передовым технологиям. После того, как в 2019 году были разработаны зарядные устройства на основе нитрида галлия (GaN) мощностью 45, 65 и 120 Вт, Baseus выпустила зарядку мощностью 100 Вт.
По сравнению с полупроводниковыми материалами первого и второго поколения нитрид галлия он имеет следующие явные преимущества:
- Устройства на основе GaN могут работать при высоких температурах до 200 °С
- Снижено сопротивление и тепловыделение, повышена общая энергоэффективность
- Уменьшен размер зарядного устройства
- Повышена скорость зарядки
Технология зарядки GaN позволяет портативным зарядным устройствам обеспечивать скорость примерно в пять раз выше, чем у обычных зарядных устройств того же размера. В зарядке Baseus GaN 100 Вт используется технология GaN2 Pro, которая обеспечивает меньший размер, меньший рост температуры, более высокую эффективность преобразования, более высокую совместимость и значительно улучшенную стабильность.
Зарядка Baseus GaN 100 Вт может одновременно заряжать 4 устройства. Два порта USB-C и два порта USB-A можно использовать для зарядки MacBook, iPad Pro и двух iPhone одновременно. Порты USB-C могут выдавать до 100 Вт. При одновременном использовании двух портов мощность ограничена 95 Вт. Зарядное устройство имеет защиту от перегрузки по току, перенапряжения и температуры.
Зарядная головка Baseus GaN 100 Вт доступна на AliExpress по цене 50 долларов.
Источник: Aliexpress
9 комментариев
Добавить комментарий
Тип C 1 + Тип C 2 Выход: 65 Вт + 30 Вт
Выход USB 1 + USB 2: 5 В/3 А 15 Вт
Тип C 1 + USB 1 выход: 65 Вт + 30 Вт
Тип C 1 + USB 2 Выход: 65 Вт + 30 Вт
Тип C 2 + USB 1 выход: 65 Вт + 30 Вт
Тип C 2 + USB 2 Выход: 65 Вт + 30 Вт
Тип C 1 + Тип C 2 + USB 1 выход: 60 Вт + 20 Вт + 18 Вт
Тип C 1 + Тип C 2 + USB 2 Выход: 60 Вт + 20 Вт + 18 Вт
Тип C 1 Выход: 5 В/3A, 9 В/3A, 12 В/3A, 15 в/3A, 20 в/5A
Тип C 2 Выход: 5 В/3A, 9 В/3A, 12 В/3A, 15 в/3A, 20 в/5A
Выход USB 1: 5 В/3 А, 9 В/3 А, 12 В/3 А, 20 В/3 А
Выход USB 2: 5 В/3 А, 9 В/3 А, 12 В/3 А, 20 В/3 А
Скорость и частота переключения до 40МГц (с потерями как у кремния на 100кГц)! Благодаря частоте ШИМа на GaN до 2МГц (типовые коммерческие девайсы) используются более малогабаритные конденсаторы и трансформаторы/индуктивности. Температура — вторична, но вот о ней постоянно твердят.
Зато, к вашему сведению, на 20МГц силовые проводники начинают замечательно «звенеть», а требования к плате ощутимо ужесточаются. При выборе фетов в первую очередь важны емкость затвора и заряд, что бы драйвер смог обеспечить нужный фронт и не загнуться. Как думаете, обеспечить импульс 40А за 10нс — хорошая задачка?
В замкнутом пластиковом корпусе — халтура в терморассчете приведет к отзыву стотысячной партии устройств, потому что греться начнёт вообще все, и драйвер, и феты, и катушка, и конденсаторы. Я не буду рассказывать как китайская керамика на теряет по 70% емкости при нагреве и напряжении отличном от идеального, как драйвер затвора может отпаиваться с платы, и какие чудесные приключения будут с сертификацией этого добра.
GaN — просто дали новую точку компромисса между температурой, ценой и габаритами, но однозначной панацеей они в ближайшее время не станут. Попробуйте спроектировать импульсник на 20МГц, а потом пофилософствуем вместе про «самые важные характеристики», если еще захочется.
Машинный перевод с китайского, похоже, не редактировался.
Добавить комментарий