Samsung представила план развития флеш-памяти с объемом до 32 ТБ

На симпозиуме IEEE/JSAP VLSI Symposium 2026, прошедшем на Гавайях в июне, компания Samsung обнародовала стратегию развития NAND Flash-памяти на ближайшие годы. Согласно представленной дорожной карте, производитель намерен последовательно увеличивать количество слоев в своих флеш-чипах, начиная с 420 слоев к 2029 году и достигая свыше 560 слоев к 2030 году.

План компании предусматривает дальнейшее удвоение числа слоев в начале следующего десятилетия с целью перехода к продуктам, содержащим свыше 1000 слоев. Такая архитектура позволит удовлетворить растущий спрос на хранилища больших объемов данных.

Ключевую роль в реализации плана сыграет технология CMB (cell multi-bonding), которая предусматривает размещение двух 450-слойных ячеек в единственном чипе. Это решение обеспечит четырехкратный прирост емкости твердотельных накопителей формата QLC M.2, увеличив максимальный объем с текущих 8 ТБ до 32 ТБ.

Samsung определила основные технические вызовы, связанные с масштабированием производства многослойной памяти. Компания указала на деформацию пластин и смещение слоев как на критические проблемы, требующие решения. Для преодоления этих препятствий производитель планирует внедрить технологию Upper Chuck Design, предназначенную для контроля деформации, а также применить методику Overlay Correction для минимизации рисков выравнивания между слоями.