Прощай, 2.5D-упаковка: Samsung представила 3D-память zHBM, которая устанавливается прямо поверх процессора

На выставке SEMICON Korea 2026 компания Samsung Electronics раскрыла детали амбициозного проекта zHBM (vertical HBM). Технология призвана радикально изменить архитектуру ускорителей вычислений, отказавшись от привычной горизонтальной компоновки.

В актуальных ИИ-решениях чипы памяти HBM и логический кристалл (XPU) размещаются рядом на общей подложке (2.xD-упаковка). В концепции zHBM стек памяти устанавливается вертикально — непосредственно на вычислительный процессор. Такой подход позволяет реализовать десятки тысяч каналов ввода-вывода, что кратно увеличивает пропускную способность. По данным Samsung, вертикальная интеграция сокращает задержки в 4 раза и значительно снижает энергопотребление, что делает zHBM идеальным решением для задач инференса (вывода) нейросетей.

Параллельно была анонсирована «кастомная» память cHBM (custom HBM). Её особенность заключается в размещении вычислительных блоков прямо внутри логического слоя (Logic Die) стека памяти. Это минимизирует лишние пересылки данных между HBM и процессором. Согласно внутренним тестам Samsung, энергоэффективность cHBM (в расчете на токен пропускной способности) в 2,8 раза выше, чем у стандартных решений.

В сегменте мобильной памяти и Edge AI Samsung продвигает технологию PIM (вычисления внутри памяти). Представители компании подтвердили, что стандарт LPDDR6-PIM сейчас проходит процесс финализации в комитете JEDEC. Первые образцы LPDDR5X-PIM будут разосланы ключевым клиентам во второй половине 2026 года.