Micron представила HBM4 с рекордной скоростью 2,8 ТБ/с, обогнав Samsung и SK Hynix

Компания Micron объявила о начале поставок образцов своей новой памяти HBM4, заявив о рекордной пропускной способности — более 2,8 ТБ/с. Показатели превышают официальные спецификации JEDEC (2 ТБ/с и 8 Гбит/с), а также текущие разработки конкурентов Samsung и SK Hynix.

О результатах сообщил глава Micron Санджай Мехротра во время отчёта за IV квартал 2025 года. По его словам, модули достигают скорости выше 11 Гбит/с на вывод, обеспечивая «лучшее в отрасли соотношение производительности и энергоэффективности». Среди ключевых технологий — использование 1-gamma DRAM, собственная база CMOS и новые решения в упаковке кристаллов.

Компания подтвердила, что ведёт разработку HBM4E, которая предложит заказчикам возможность кастомизации логического кристалла. Это будет первый случай, когда HBM-память сможет выпускаться с индивидуальной базовой логикой. Такой подход позволит крупным клиентам, включая Nvidia и AMD, оптимизировать ускорители под конкретные задачи, снизив задержки и улучшив маршрутизацию данных.

По данным Micron, доход компании от сегмента HBM уже вышел на годовой уровень 8 млрд долларов благодаря росту спроса со стороны разработчиков ИИ. Новая линейка, созданная в сотрудничестве с TSMC, должна укрепить позиции Micron на фоне конкуренции с другими производителями памяти.

Источник: https://www.techradar.com