Samsung готовится выпустить первый в мире петабайтный SSD-накопитель

Компания Samsung разрабатывает новые производственные процессы для увеличения емкости твердотельных накопителей. Цель компании — достичь емкости в 1 петабайт, что составляет 1024 терабайта.

Для достижения этой цели Samsung планирует увеличить количество слоев в своих накопителях. Компания уже начала производство V-NAND 9-го поколения, в которых используется 290 слоев. В следующем году компания планирует выпустить NAND-память на основе стекирования с 430 слоями (10-е поколение V-NAND).

Однако одного увеличения количества слоев недостаточно, чтобы достичь цели в 1 петабайт. Поэтому компания также работает над производством микросхем с четырехуровневыми ячейками (QLC).

Кроме того, Samsung считает, что для достижения цели необходимо не только физическое, но и логическое масштабирование. То есть, нужно не только увеличивать количество слоев и уменьшать размер ячеек NAND, но и увеличивать количество бит, хранимых в одной ячейке.

Kioxia (бывшая Toshiba) — один из лидеров в области логического масштабирования. Компания представила 3D NAND-память с пятиуровневой структурой ячеек (PLC) в 2019 году и шестиуровневой структурой ячеек (HLC) в 2021 году. Сейчас компания заявляет о возможности создания восьмиуровневых ячеек.

Однако для хранения большего количества бит на ячейку необходимо учитывать, что уровни напряжения также будут расти. Поэтому важно найти материалы, способные сохранять высокое напряжение, производить их в больших объемах и контролировать температуру.

Хотя это и не подтверждено официально, Samsung активно участвует в исследованиях, которые позволят решить эти проблемы. Например, исследователи из Корейского передового института науки и технологий (KAIST) работают над Hafnia — классом материалов, которые при определенных условиях проявляют ферроэлектрические свойства. Утверждается, что этот ферроэлектрический материал может сохранять свои свойства при низких уровнях напряжения.

Источник: tweaktown