Мы используем файлы cookie и сервисы аналитики. Ознакомьтесь с нашей Политикой сбора данных и выберите, какие типы cookie вы разрешаете:
cookie_policy_accepted — хранит ваш выбор cookiePHPSESSID — сессияkey3 — запоминание входа_ix — единая сессия входа на ixbt.comadminuserskey — вход администратораtopic_add_autosave — автосохранение черновикаls_photoset_target_tmp — временные данные загрузки фотоgeo_country — определяет ваш регион_ga, _ga_*, _ym_uid, _ym_d, _ym_* — статистика посещений__gads, __gpi — таргетирование объявленийВы всегда можете изменить свои предпочтения в настройках.
Вынул ножик из кармана
— Буду резать, буду бить,
За видюхи всех казнить!
«Нет причин для того, чтобы делать кэш L4 исключительно на встроенной DRAM (как делает IBM со своими чипами) или на базе куда как более дорогой SRAM – об этом нам напоминает Рабин Сугумар, архитектор чипов из компаний Cray Research, Sun Microsystems, Oracle, Broadcom, Cavium и Marvell:
«Наши кэши L3 уже достаточно большие, — говорит Сугумар. – Так что L4 в интересующем вас случае нужно делать по другой технологии. Возможно, eDRAM или даже HBM или DRAM. В данном контексте интересным вариантом выглядит реализация кэша L4 на основе HBM, и этот кэш решает не столько проблему задержки, сколько пропускной способности. Поскольку ёмкость HBM ограничена, а пропускная способность велика, мы можем получить определённую прибавку к скорости – и в некоторых специальных случаях мы действительно видим значительное увеличение пропускной способности». Сугумар добавляет, что для довольно большого количества применений наблюдается относительно большое количество «промахов» кэша. Однако нужно подсчитать – будет ли добавление очередного уровня кэша стоить того.
Ещё один возможный вариант использования чего-то наподобие кэша L4, говорит Сугумар, это использовать локальную DRAM в качестве кэша. «У нас не ведётся никаких подобных исследований в лаборатории, но допустим, у нас на чипе есть интерфейс с высокой пропускной способностью, соединенный с общей распределённой памятью где-то на другом конце шлейфа, на расстоянии от 500 нс до 1 мкc. Тогда один из вариантов использования будет создать кэш, перемещающий эти данные из общей распределённой памяти в локальную DRAM. Можно представить работу конечного автомата, управляющего этой памятью, поэтому большую часть времени обращения будут идти к локальной DRAM, и вы сможете минимизировать количество обращений к общей распределённой DRAM»»
Производитель А будет более прибыльным, потому что сможет выпустить при прочих равных больше автомобилей и отжать у производителя Б бОльшую долю рынка.
:-)
1. 3 м;
2. 5 м;
3: 10 м.