AlexB77

А если Самс будет изготавливать железо для всех-всех смартфонов, то оборванцем станет?.. Где логика?
Я застал времена, когда Моторола перешла со своих (Semiconductor Product Sector=Free Scale) ARM чипов на TI. И это было не от хорошей жизни — для снижения издержек.
А тут компания делает железо для самойсамой компании, и кто-то смеет ее поливать. Смешно.

Все типы монтажа кристалла на монтажную плату на картинке:

http://aemstatic-ww2.azureedge.net/content/dam/lw/online-articles/2016/08/LWcoriantfig4081216.jpg
Сама плата может существенно менять расположение контактов на чипе и на сокете.

Нет там никакой логики. Все проводники с монтажной платы распаиваются на _кромку_ кристалла кремния с четырёх сторон. Для этого на схеме кристалла есть «гигантские» контактные площадки порядка 1000 штук с каждой стороны кристалла — они явно больше размера одного транзистора — порядка 50-100 микрона в поперечнике. И к ним тянется волосок золотого проводника от контакта на монтажной плате до этой контактной площадки. Вся внутренняя распайка не обязана как-то совпадать с пинами монтажной платы процессора, хотя вероятно не сильно ей противоречит, чтобы не создавать топологические трудности с полным нарушением планарности распайки из нескольких рядов пинов на кромку кристалла.

Как оно на кристалл кремния запитывается от монтажной платы процессора — это головняк упаковки, и он внутри процессора. На кристалл идет 4000-10000 проводников, и большая часть — это питание. Однако наружный интерфейс процессора можно бы упростить.

Зачем такие сложности с количеством ног?  Сделать два больших контакта-пластины VCC, VSS, примерно как на аккумляторе. На ноги разводить только сигналы. Сигналы тоже могут меняться, но если нужно увеличить только питание, то головняк уйдет.

Единственная причина, по которой Илон Маск занялся электромобилями — это был прогресс в плотности хранения электроэнергии в литиевых аккумуляторах. Если бы прогресса не было, то Tesla тоже не было бы.

Ждем АРМ с суперскалярной суперконвейерной реализацией включающей предсказатель переходов на несколько последовательных ветвлений? К сожалению если сделать всё как в Intel Core i7, то производительность процессора упрётся в количество декодируемых инструкций ограниченной внутренними шинами пересылки инструкций, которые у Intel Core i7 CISC кодированные, а не 4-х байтовые RISC. Но может на некоторых программах сравняться из-за низкой оптимизации самой последовательности инструкций под обе архитектуры. Суперскалярные суперконвейерные реализации чувствительны к зависимости по данным времени исполнения, и при плохом коде программы, не способном заполнить исполняемые блоки, тормозят.

Можно предусмотреть подушку безопасности, и вообще забыть о проблеме безопасных взрывов телефонов.

Это не подпорки, а тяги против рассыпания после взрыва. Как резиночки для рукавичек, чтобы можно было комплектным принести на сервис, а не ползать по земле в поисках осколков.

Это как раз из статьи по ссылке.
 

По другим данным расстояние между атомами кремния в чистом кристалле кремния 0,23нм. Но речь же о норме тех.процесса, который говорит о том каков шаг картинки проецируемой матрицы. Грубо говоря размер 1 пикселя на кремнии. Возможно не имеет смысла делать этот шаг меньше размера атома, но повышать точность печати микросхем имеет смысл, так как это улучшает их характеристики, и снижает брак типа смещения слоев микросхемы относительно друг друга. Видимо 100пм станет практически осмысленным пределом улучшения технологий. Дальше только вверх и вширь. 
 

Всё как обычно: несгораемый металлический контейнер для зарядки.

Скорее меньше разряжать, и чаще включать на подзарядку. При разряде в 10% с последующей подзарядкой аккумулятор становится практически вечным.

Если сделать проточки в корпусе, то взрываться будет не только аккуратно, но и с эстетическим результатом. Пока что получилось как у устрицы. Но можно ведь розочкой, подсолнухом, лотосом, наконец великое разнообразие орхидей…

Не, 1 нм — не предел. Дальше пико-. 1 нм=1000пм (1nm=1000pm).

Я про картинки и фразу «SDRAM interface takes about 8%». С определениями согласен не глядя.
Просто на картинке раньше писали размыто SDRAM interface, а потом уточнили DDR. Правда тоже без номера. То ли 2, то ли 3, то ли 4.

Если кричать погромче, то собеседник с iPhone услышит даже через потрескивания и шум… Раньше такое бывало со связью. Правда телефоны было с ручкой и проводом.

То есть это те самые 4 блока DDR контроллеров на схеме.
PS: в оригинальной новости на схеме A10 имеет SDRAM interface, а A11 — DDR.

https://www.seeko.co.kr/zboard4/zboard.php?id=freeboard&page=1&no=885766

«CPU занимает около 15% площади, GPU — 20%, SDRAM — 8%»
А где там SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory), если на схеме только SRAM (Static Random Access Memory) — регистровая память?
Есть еще контроллер DDR, но это тоже не SDRAM.

Думаю, что Intel также определяет норму техпроцесса по размеру пикселя в проекции матрицы на кристалл, как и все. А плотность расположения элементов, как и их размеры — это регулируемый параметр зависящий от целей. Для кэша важна плотность, и в этой области кристалла высокая плотность элементов. А для вычислительной части кристалла важна скорость распространения сигнала. И в этой области толще проводники, больше транзисторы, и т.п., а плотность увеличивается за счет более точного расположения элементов, и более точной их формы, что позволяет расположить эти элементы ближе друг к другу без короткого замыкания.