Главная » Новости » 2013 » 12 » 22 22 декабря 2013

Intel планирует использовать в 9-нанометровых микросхемах туннельные полевые транзисторы, работающие при напряжении 0,4 В

Компания Intel в ходе недавнего мероприятия International Electron Devices Meeting (IEDM) 2013 рассказала о стратегии освоения технологических норм менее 10 нм. В компании рассчитывают использовать на следующем технологическом шаге, соответствующем длине затвора транзистора 9 нм или менее, туннельные полевые транзисторы, которые могут работать при напряжении питания менее 0,4 В.

В новых транзисторах может использоваться нанопроволочная структура, позволяющая получить увеличенный ток в открытом состоянии. Более того, если удастся использовать эффект туннельного резонанса, длину затвора можно будет сделать меньше 9 нм.

Специалисты Intel промоделировали поведение транзисторов с гетероструктурой из антимонида галлия (GaSb) и арсенида индия (InAs). Были опробованы резонансные туннельные транзисторы с двойным затвором и нанопроволочной структурой. Они имеют ряд преимуществ над традиционными транзисторами Si-MOSFET, что делает их перспективными для использования в качестве транзисторов со сверхнизким напряжением питания.

Перспективные транзисторы значительно превосходят Si-MOSFET по току в открытом состоянии

Моделирование показало, что перспективные транзисторы значительно превосходят Si-MOSFET по току в открытом состоянии. При этом нанопроволочная структура предпочтительна с технологической точки зрения по сравнению со структурой с двойным затвором.

Туннельный полевой транзистор GaSb/InAs с нанопроволочным каналом диаметром 3 нм примерно в 10-20 превосходит по току в открытом состоянии такой же кремниевый транзистор при напряжении питания менее 0,4 В. При этом крутизна его характеристики превосходит теоретически достижимую для Si-MOSFET.

Источник: Tech-On!

Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



декабрь
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
2013

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.