Компания Samsung Electronics объявила о начале серийного выпуска микросхем оперативной памяти LPDDR3 объемом 2 ГБ по нормам 30-нанометрового класса. Память предназначена для мобильных устройств.
В корпусе одной микросхемы заключено четыре чипа LPDDR3. Максимальная скорость передачи данных составляет 1600 Мбит/с (в расчете на один вывод), что примерно вдвое превосходит максимальный показатель LPDDR2 DRAM. Суммарная пропускная способность микросхемы достигает 12,8 ГБ/с. По словам производителя, это позволяет воспроизводить видео высокой четкости в реальном времени на смартфоне или планшете. Более того, новая память соответствует требованиям к устройствам, которые будет иметь экраны большего, чем принято сейчас, размера.
Источник: Samsung