Главная » Новости » 2012 » 09 » 18 18 сентября 2012

Samsung первой приступает к выпуску микросхем памяти LPDDR3 объемом 2 ГБ по нормам 30-нанометрового класса

Компания Samsung Electronics объявила о начале серийного выпуска микросхем оперативной памяти LPDDR3 объемом 2 ГБ по нормам 30-нанометрового класса. Память предназначена для мобильных устройств.

В корпусе одной микросхемы объемом 2 ГБ заключено четыре чипа LPDDR3

В корпусе одной микросхемы заключено четыре чипа LPDDR3. Максимальная скорость передачи данных составляет 1600 Мбит/с (в расчете на один вывод), что примерно вдвое превосходит максимальный показатель LPDDR2 DRAM. Суммарная пропускная способность микросхемы достигает 12,8 ГБ/с. По словам производителя, это позволяет воспроизводить видео высокой четкости в реальном времени на смартфоне или планшете. Более того, новая память соответствует требованиям к устройствам, которые будет иметь экраны большего, чем принято сейчас, размера.

Источник: Samsung

Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



ВИКТОРИНА PATRIOT

Какие продукты, помимо компьютерной памяти, представлены в линейке Patriot – Viper Gaming?
сентябрь
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
2012

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.