Первый в мире 20-нанометровый чип флэш-памяти типа MLC NAND плотностью 128 Гбит создан специалистами IM Flash Technologies — совместного предприятия Intel и Micron Technology. Партнеры по разработке и выпуску флэш-памяти также объявили о начале серийного выпуска 20-нанометровой флэш-памяти типа NAND плотностью 64 Гбит.
Впервые появилась возможность изготавливать накопители терабитного объема (128 ГБ), используя всего восемь чипов. Разработанный Intel и Micron монолитный чип плотностью 128 Гбит соответствует спецификации ONFI 3.0, поддерживая скорость до 333 млн. передач в секунду. Областями применения новой памяти названы планшеты, смартфоны и твердотельные накопители большой емкости.
По словам партнеров, ключом к использованию 20-нанометрового техпроцесса стало применение новой структуры ячейки памяти, позволившей уменьшить ее размеры. Речь идет об использованной впервые планарной структуре, с помощью которой удалось преодолеть сложности, связанные с переходом к более тонкому техпроцессу, получить высокие показатели производительности и удержать надежность на уровне, характерном для памяти, выпускаемой сейчас. Коротко говоря, планарная структура преодолевает ограничения на уменьшение размеров обычного плавающего затвора ячейки NAND за счет использования материала с высокой диэлектрической постоянной и металлического затвора. Такая технология, обозначаемая аббревиатурой HKMG, уже довольно давно используется в логических микросхемах, но в памяти NAND она применена впервые.
Ознакомительные образцы чипов плотностью 128 Гбит будут доступны в январе, а вслед за этим, в первой половине года, начнется их массовое производство.
Источник: Micron