В настоящее время спотовая цена чипа DDR3 плотностью 2 Гбит уже опустилась ниже отметки $1, сократив до минимума прибыль производителей. Освоение компаниями Samsung Electronics и Hynix Semiconductor производства по 30-нанометровой технологии ставит их в сильную позицию, поскольку себестоимость чипа DDR3 плотностью 2 Гбит при этом снижается до $0,65. Тайваньские компании, которые еще не успели начать выпуск по нормам 30 нм, в связи с этим опасаются обострения конкуренции и возрастания ценового давления со стороны своих южнокорейских соперников.
На предприятиях Samsung и Hynix 30-нанометровый техпроцесс уже опробован. Начало массового выпуска ожидается в конце текущего года или первой половине будущего.
Чтобы догнать конкурентов, тайваньская Rexchip Electronics перевела на нормы 45 нм выпуск DRAM на фабрике, работающей с пластинами диаметром 300 мм, и начала освоение 30-нанометровой технологии. До конца года этот производитель рассчитывает перевести на 30-нанометровый техпроцесс мощности, способные обрабатывать ежемесячно 80000 пластин диаметром 300 мм.
Другой тайваньский производитель DRAM, Inotera Memories, в сентябре завершил переход к 42-нанометровому производству и начал пробный выпуск по 30-нанометровому техпроцессу. Он планирует запустить серийный выпуск 30-нанометровых чипов DDR3 плотностью 4 Гбит в 2012 году.
Источник: DigiTimes