Главная » Новости » 2011 » 07 » 13 13 июля 2011

Toshiba и Hynix будут вместе разрабатывать память типа MRAM

Не успели отзвучать фанфары по поводу открытия новой фабрики по выпуску флэш-памяти, принадлежащей Toshiba и SanDisk, как появилось сообщение о том, что Toshiba создает новое совместное предприятие, на этот раз — с компанией Hynix Semiconductor.

Областью приложения совместных усилий японских и южнокорейских специалистов станет разработка памяти типа MRAM (Magnetoresistive Random Access Memory). Напомним, за этой аббревиатурой кроется память, принцип работы которой построен на использовании магниторезистивного эффекта — изменения электрического сопротивления материала в магнитном поле.

Память типа MRAM, как ожидается, заменит применяемую сейчас память типа DRAM и флэш-память, поскольку она объединяет их сильные стороны. Она характеризуется высоким быстродействием и возможностью произвольного доступа, способностью хранить информацию в отсутствие питания и большой долговечностью.

Когда разработка будет завершена, партнеры рассчитывают создать совместное производство по выпуску памяти типа MRAM.

Компания Toshiba ведет работы в области магниторезистивной памяти достаточно давно.

Источник: Toshiba

Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



ОПРОС Micromax

С какой периодичностью вы меняете смартфоны?
июль
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
2011

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.