Главная » Новости » 2011 » 01 » 30 30 января 2011

Полевые транзисторы с двойным плавающим затвором могут стать основой новой памяти

Разговоры о создании памяти нового типа, которая могла бы одновременно заменить динамическую память с произвольным доступом и флэш-память, идут давно. Такая память должна характеризоваться высоким быстродействием и быть энергонезависимой. Возможно, основой новой памяти станет транзистор, прототип которого создали специалисты одного из университетов США.

Прибор, о котором идет речь, представляет собой полевой транзистор с двойным плавающим затвором. Подобные транзисторы уже используются во флэш-памяти, но они имеют один затвор. Дополнительный затвор позволяет держать данные в активном состоянии и оперативно изменять состояние ячейки, тогда как основной, состояние которого изменяется с помощью повышенного напряжения, служит для долговременного хранения информации.

Переключение между оперативным и долговременным хранением занимает один цикл и не приводит к потере информации. Это позволяет предположить, например, такой вариант использования новой памяти: когда компьютер включен, память работает в оперативном режиме, а при выключении происходит переход к энергонезависимому режиму, так что система после повторного включения может продолжить работу с того же самого места, где она была приостановлена.

Источник: Университет штата Северная Каролина

Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



январь
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
2011

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.