Главная » Новости » 2010 » 12 » 02 2 декабря 2010

Samsung начинает поставки микросхем LPDDR2 плотностью 4 и 8 Гбит

Первой в отрасли завершила разработку и освоила выпуск микросхем динамической памяти с произвольным доступом, пониженным энергопотребление и поддержкой удвоенной скорости передачи (LPDDR2 DRAM) компания Samsung Electronics.

Первые монолитные чипы плотностью 4 Гбит были изготовлены по технологии 30-нанометрового класса в ноябре. Компания предполагает, что они найдут применение в мобильных устройствах верхнего сегмента, таких, как смартфоны и планшеты.

В один корпус микросхемы плотностью 8 Гбит упаковывается два чипа, тогда как ранее для этого требовалось 4 чипа по 2 Гбит каждый. Уменьшение числа кристаллов позволило уменьшить толщину микросхем на 20% (с 1 мм до 0,8 мм), а потребляемую мощность — на 25%.

Микросхемы LPDDR2 DRAM могут передавать данные со скоростью до 1066 Мбит/с, что приближается к скоростям памяти, используемой в ПК, и более чем вдвое превосходит показатель памяти типа mobile DRAM (MDDR), работающей со скоростью 333 или 400 Мбит/с.

Поставки ознакомительных образцов новых микросхем памяти LPDDR2 плотностью 8 Гбит уже начались.

Источник: Samsung Electronics

Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



ВИКТОРИНА PATRIOT

Какие продукты, помимо компьютерной памяти, представлены в линейке Patriot – Viper Gaming?
декабрь
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31
2010

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.