Японский производитель динамической памяти с произвольным доступом объявил о завершении разработки нового варианта 65-нанометровых чипов памяти типа DDR3 SDRAM, который, как утверждается, вполне может конкурировать по себестоимости с 50-нанометровыми. Плотность чипов равна 1 Гбит.
В условиях спада на рынке DRAM, начавшегося в 2008 году, компания Elpida выбрала два направления научно-исследовательских работ, связанных с развитием памяти этого типа. Одно из них — переход к более тонким нормам техпроцесса, а второе — совершенствование топологии, которое позволило бы уменьшить капитальные затраты на переоборудование производственных линий. Параллельно с переходом на нормы 50 и 40 нм компания разрабатывает «сжатые» версии чипов, рассчитанные на применение существующего оборудования для сухой литографии. Избранная тактика уже дважды приносила успех. В 2008 году была создана модификация 65-нанометрового техпроцесса, получившая обозначение S. Теперь специалисты компании завершили разработку его еще более «сжатой» версии, получившей обозначение XS.
По оценке Elpida, техпроцесс XS позволяет разместить на одной 300-миллиметровой пластине на 25% больше чипов, чем его предшественник. Помимо этого, он короче и существенно экономичнее по затратам на оборудование, чем сопоставимый по себестоимости продукции 50-нанометровый техпроцесс, в котором используется иммерсионный сканер.
Новые чипы памяти производства Elpida предназначены для ПК и серверов. Их серийный выпуск компания рассчитывает начать в первом квартале 2010 года.
Источник: Elpida Memory