К мозаике новостей о грандиозных планах компании ARM, появившихся в последнее время, добавился еще один элемент. На конференции IEEE SOI Conference в Калифорнии компания ARM представила пробный экземпляр чипа, изготовленного по технологии «кремний на изоляторе» (silicon-on-insulator, SOI) с соблюдением норм 45 нм.
Как утверждается, тестовый образец подтвердил, что потенциальное уменьшение энергопотребления по сравнению с такими же чипами, выпускаемыми по традиционной технологии с использованием монолитного кремния, достигает 40%. Как и ожидалось, технология SOI является жизнеспособной альтернативой традиционной технологии, когда речь идет о выпуске процессоров с пониженным энергопотреблением, предназначенных для бытовой электроники и мобильных устройств.
В создании тестового чипа ARM сотрудничала с компанией Soitec. Целью проекта было прямое сравнение на примере одного и того же продукта 45-нанометрового техпроцесса SOI, оптимизированного по критерию производительности, и 45-нанометрового техпроцесса CMOS, оптимизированного по критерию энергопотребления. В качестве подопытного кролика выступил процессор на широко используемом ядре ARM 1176, что позволило напрямую сравнить два варианта его реализации.
Помимо уменьшения энергопотребления, SOI обеспечивает уменьшение площади кристалла примерно на 7%. Быстродействие двух реализаций электронной схемы не отличается. В то же время, у процессора, изготовленного по технологии SOI, есть запас по тактовой частоте на 20%.
В разработке использовались стандартные библиотеки SOI, созданные в ARM и IBM.
Источник: ARM