Южнокорейский полупроводниковый гигант сообщил о начале серийного производства первых в отрасли чипов памяти DDR3 плотностью 2 Гбит с применением технологии «40-нанометрового класса».
Как известно, менее года назад компания Samsung начала поставки ознакомительных образцов микросхем DDR3 плотностью 2 Гбит, произведенных по нормам 50 нм. Переход к нормам 40 нм позволит увеличить производительность производства примерно на 60% по сравнению с показателями 50-нанометрового техпроцесса.
Новая память Samsung будет использоваться в модулях памяти типа RDIMM объемом 16, 8 и 4 ГБ, предназначенных для серверов, в модулях типа UDIMM, рассчитанных на применение в рабочих станциях и настольных ПК, и модулях типа SODIMM для ноутбуков (максимальный объем — 4 ГБ).
Монолитные чипы плотностью 2 Гбит характеризуются высокой энергетической эффективностью и поддерживают скорость передачи до 1,6 Гбит/с при напряжении питания 1,35 В, что вдвое больше скорости 800 Мбит/с, которую способны развить микросхемы с двумя чипами по 1 Гбит.
Источник: Samsung