Главная » Новости » 2009 » 07 » 21 21 июля 2009

Samsung первой начинает массовый выпуск памяти DDR3 плотностью 2 Гбит по нормам 40 нм

Южнокорейский полупроводниковый гигант сообщил о начале серийного производства первых в отрасли чипов памяти DDR3 плотностью 2 Гбит с применением технологии «40-нанометрового класса».

Как известно, менее года назад компания Samsung начала поставки ознакомительных образцов микросхем DDR3 плотностью 2 Гбит, произведенных по нормам 50 нм. Переход к нормам 40 нм позволит увеличить производительность производства примерно на 60% по сравнению с показателями 50-нанометрового техпроцесса.

Новая память Samsung будет использоваться в модулях памяти типа RDIMM объемом 16, 8 и 4 ГБ, предназначенных для серверов, в модулях типа UDIMM, рассчитанных на применение в рабочих станциях и настольных ПК, и модулях типа SODIMM для ноутбуков (максимальный объем — 4 ГБ).

Монолитные чипы плотностью 2 Гбит характеризуются высокой энергетической эффективностью и поддерживают скорость передачи до 1,6 Гбит/с при напряжении питания 1,35 В, что вдвое больше скорости 800 Мбит/с, которую способны развить микросхемы с двумя чипами по 1 Гбит.

Источник: Samsung

Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



ВИКТОРИНА PATRIOT

Какие продукты, помимо компьютерной памяти, представлены в линейке Patriot – Viper Gaming?
июль
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
2009

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.